w25q128fv中文版

w25q128fv中文資料

描述

串行flash 存儲器W25Q128BV為那些對空間大小，引腳數(shù)，功耗有限制的系統(tǒng)提供了一個存儲解決方案。25Q系列的靈活性和性能比一般的串行flash 設(shè)備要高。利用串行FLASH 可以實(shí)現(xiàn)代碼映射到RAM，直接通過DUAL/QUAD SPI方式來執(zhí)行代碼，存儲聲音，文本，數(shù)據(jù)。W25Q128BV 供電范圍為2.7——3.6V，在激活狀態(tài)下電流功耗低到4MA，睡眠狀態(tài)下則降低到1UA。所有的25Q系列都提供節(jié)省空間的封裝。

W25Q128BV由65536可編程的頁組成的，每頁有256個字節(jié)。一次最多可以寫256個字節(jié)。可以一次擦除16頁（4KB sector erase），128頁（32KB block erase），256頁（64KB block erase），或者擦除一整片。W25Q128BV 有4096個可擦除的扇區(qū)，256可擦除的塊。4KB的扇區(qū)對于數(shù)據(jù)和參數(shù)存儲有更高的靈活性。

W25Q128BV 支持標(biāo)準(zhǔn)SPI 接口，以及更高性能的DUAL/QUAD SPI ，對應(yīng)的管腳為時(shí)鐘，片選，（I/O0）DI，（I/O1）DO，I/O2（/WP），I/O3（/HOLD）。SPI時(shí)鐘可以達(dá)到104MHz，在DUAL使用快速讀時(shí)就相當(dāng)于208MHz，在QUAD 使用快速讀時(shí)相當(dāng)于320MHz。這個傳輸速率比一般的異步8位，16位并行FLASH 存儲器要快。連續(xù)讀模式訪問存儲器的效率很高，只要8個時(shí)鐘的指令開銷就可以讀24位地址的數(shù)據(jù)，這樣就可以實(shí)現(xiàn)XIP。

HOLD，WP管腳，可編程的寫保護(hù)，可分為頂部，底部，整個存儲器。這些提供了更靈活的控制。一般地，W25Q128BV支持JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，一個64位的獨(dú)立串行數(shù)字，包含制造商和芯片ID。