資料介紹
1. 模擬運放的分類及特點
模擬運算放大器從誕生至今,已有40多年的歷史了。最早的工藝是采用硅NPN工藝,后來改進為硅NPN-PNP工藝(后面稱為標準硅工藝)。在結型場效應管技術成熟后,又進一步的加入了結型場效應管工藝。當MOS管技術成熟后,特別是CMOS技術成熟后,模擬運算放大器有了質的飛躍,一方面解決了低功耗的問題,另一方面通過混合模擬與數(shù)字電路技術,解決了直流小信號直接處理的難題。
經(jīng)過多年的發(fā)展,模擬運算放大器技術已經(jīng)很成熟,性能曰臻完善,品種極多。這使得初學者選用時不知如何是好。為了便于初學者選用,本文對集成模擬運算放大器采用工藝分類法和功能/性能分類分類法等兩種分類方法,便于讀者理解,可能與通常的分類方法有所不同。
1.1.根據(jù)制造工藝分類
根據(jù)制造工藝,目前在使用中的集成模擬運算放大器可以分為標準硅工藝運算放大器、在標準硅工藝中加入了結型場效應管工藝的運算放大器、在標準硅工藝中加入了MOS工藝的運算放大器。按照工藝分類,是為了便于初學者了解加工工藝對集成模擬運算放大器性能的影響,快速掌握運放的特點。
標準硅工藝的集成模擬運算放大器的特點是開環(huán)輸入阻抗低,輸入噪聲低、增益稍低、成本低,精度不太高,功耗較高。這是由于標準硅工藝的集成模擬運算放大器內(nèi)部全部采用NPN-PNP管,它們是電流型器件,輸入阻抗低,輸入噪聲低、增益低、功耗高的特點,即使輸入級采用多種技術改進,在兼顧起啊挺能的前提下仍然無法擺脫輸入阻抗低的問題,典型開環(huán)輸入阻抗在1M歐姆數(shù)量級。為了顧及頻率特性,中間增益級不能過多,使得總增益偏小,一般在80~110dB之間。標準硅工藝可以結合激光修正技術,使集成模擬運算放大器的精度大大提高,溫度漂移指標目前可以達到0.15ppm。通過變更標準硅工藝,可以設計出通用運放和高速運放。典型代表是LM324。
在標準硅工藝中加入了結型場效應管工藝的運算放大器主要是將標準硅工藝的集成模擬運算放大器的輸入級改進為結型場效應管,大大提高運放的開環(huán)輸入阻抗,順帶提高通用運放的轉換速度,其它與標準硅工藝的集成模擬運算放大器類似。典型開環(huán)輸入阻抗在1000M歐姆數(shù)量級。典型代表是TL084。
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