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圖1顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級(jí)和一次側(cè)MOSFET電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲(chǔ)于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在MOSFET關(guān)閉時(shí)將其釋放到次級(jí)繞組。由于變壓器的漏極電感會(huì)使漏電壓升至反射輸出電壓（Vreset）以上，因此MOSFET關(guān)閉時(shí)通常會(huì)需要一個(gè)緩沖器。
存儲(chǔ)于漏極電感中的能量可使MOSFET產(chǎn)生雪崩現(xiàn)象，因此要添加一個(gè)由D1、R24和C6組成的鉗壓電路。該電路的鉗位電壓取決于漏電的能量大小以及電阻器的功率消耗。更小值的電阻雖然可以降低鉗位電壓，但會(huì)增加功率損耗。
圖1： FET關(guān)斷時(shí)漏極電感形成過電壓
圖2顯示的是變壓器主繞組和次級(jí)繞組的電流波形。左側(cè)是MOSFET開啟時(shí)的簡(jiǎn)化功率級(jí)。輸入電流通過漏極電感和互電感的串聯(lián)組合斜坡上升。右邊顯示的是關(guān)斷期間的一個(gè)簡(jiǎn)化電路。此處，電壓已反向至輸出二極管和鉗位二極管正向偏置的點(diǎn)。我們展示了反射到變壓器一次側(cè)的輸出電容器和二極管。
兩個(gè)電感為串聯(lián)，并在Q1關(guān)斷時(shí)初始傳輸相同的電流。這就是說關(guān)斷以后輸出二極管D2中并未立即出現(xiàn)電流，同時(shí)總變壓器電流在D1中流動(dòng)。漏極電感的電壓是鉗位電壓和重位電壓之間的差，且往往會(huì)快速釋放漏電。如圖所示，經(jīng)過簡(jiǎn)單計(jì)算便可得到分流至緩沖器的能量大小。因此您可以通過縮短釋放漏極電感中能量的時(shí)間，來減少分流能量。提高鉗位電壓可以實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。
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