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TMS320VC55x系列DSP的Flash燒寫方法分析

2017-10-27 | rar | 0.6 MB | 次下載 | 1積分

資料介紹

 1 引言
  隨著數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)的快速發(fā)展,DSP(數(shù)字信號(hào)處理器)越來越廣泛地應(yīng)用于各種數(shù)字信號(hào)處理系統(tǒng)中。最終開發(fā)的系統(tǒng)要想脫離仿真器運(yùn)行,必須將程序代碼存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器中。Flash存儲(chǔ)器以其大容量和可在線編程等特點(diǎn)已成為DSP系統(tǒng)的一個(gè)基本配置。如何將程序燒寫進(jìn)Flash,并在上電時(shí)加載到DSP內(nèi)部的RAM是Flash在DSP系統(tǒng)中應(yīng)用的兩個(gè)基本技術(shù)問題。本文以基于TI公司的TMS320VC5509A和Atmel公司的AT49LV1024 Flash開發(fā)的系統(tǒng)為背景,詳細(xì)介紹了系統(tǒng)引導(dǎo)相關(guān)的硬件設(shè)計(jì)、燒寫軟件設(shè)計(jì)以及自舉引導(dǎo)和二次引導(dǎo)等實(shí)現(xiàn)方法。
  2 TMS320VC5509A的自舉引導(dǎo)
  2.1 TMS320VC5509A的自舉模式配置
  TMS320VC55x系列DSP的Flash燒寫方法分析
  TMS320VC5509A每次上電復(fù)位后,在執(zhí)行完一系列初始化(配置堆棧寄存器、關(guān)閉中斷、程序臨時(shí)入口、符號(hào)擴(kuò)展、兼容性配置)工作后,根據(jù)預(yù)先配置的自舉模式,通過固化在ROM內(nèi)的Bootloader程序進(jìn)行程序引導(dǎo)。VC5509A的引導(dǎo)模式選擇是通過4個(gè)模式選擇引腳BOOTM[0:3]配置完成的。 BOOTM0~3引腳分別與GPIO1、2、3、0相連。在本系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,采用EMIF(外部存儲(chǔ)接口)并行引導(dǎo)模式(16位數(shù)據(jù)寬度),只需將BOOTM[3:0]設(shè)置成1011即可。
  EMIF為外部存儲(chǔ)接口,通過EMIF接口可以靈活地和各種同步或異步存儲(chǔ)器件無縫連接。通過EMIF可以將VC5509A的存儲(chǔ)空間擴(kuò)展到128 Mbit(SDRAM),存儲(chǔ)空間共被分為CE0~CE3四個(gè)段,每段占用不同的地址。在EMIF的并行引導(dǎo)模式中,ROM固化的Bootloader程序是以0x200000為首地址開始加載程序。0x200000即為CE1空間的首地址,所以Flash必須接在DSP的CE1空間上。在加載時(shí)。EMIF的CE1空間已經(jīng)默認(rèn)配置成異步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)接口,并且在時(shí)序上采用了最差情況設(shè)置(即最慢訪問速度),充分保證了時(shí)間裕量,使得程序代碼順利地加載到DSP的內(nèi)存中。
  2.2 TMS320VC5509A的引導(dǎo)表
  Bootloader在引導(dǎo)程序時(shí),程序代碼是以引導(dǎo)表格形式加載的。TMS320VC55x的引導(dǎo)表結(jié)構(gòu)中包括了用戶程序的代碼段和數(shù)據(jù)段以及相應(yīng)段在內(nèi)存中的指定存儲(chǔ)位置,此外還包括了程序人口地址、部分寄存器的配置值、可編程延時(shí)時(shí)間等信息。TMS320VC55x系列DSP的引導(dǎo)表結(jié)構(gòu)如表1所示。
  TMS320VC55x系列DSP的Flash燒寫方法分析
  其中,程序入口地址是引導(dǎo)表加載結(jié)束后,用戶程序開始執(zhí)行的地址;寄存器配置數(shù)目決定了后面有多少個(gè)寄存器需要配置;只有當(dāng)延時(shí)標(biāo)志為0xFFFF時(shí),延時(shí)才被執(zhí)行;延時(shí)長(zhǎng)度決定了在寄存器配置后延時(shí)多少個(gè)CPU周期才進(jìn)行下一個(gè)動(dòng)作;段長(zhǎng)度、段起始地址和數(shù)據(jù)則為用戶程序中定義的各個(gè)段的內(nèi)容,并且可以重復(fù)添加;最后以0x00000000(32個(gè)0)作為引導(dǎo)表的結(jié)束標(biāo)志。
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