TMS320F2803x微控制器的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載

本技術(shù)參考手冊(cè)（TRM）詳細(xì)說明了設(shè)備中每個(gè)外圍設(shè)備和子系統(tǒng)的集成、環(huán)境、功能描述和編程模型。TRM不應(yīng)被視為數(shù)據(jù)手冊(cè)的替代品，而是應(yīng)與設(shè)備特定數(shù)據(jù)手冊(cè)一起使用的配套指南，以了解設(shè)備編程的細(xì)節(jié)。TRM的主要目的是從數(shù)據(jù)手冊(cè)中提取設(shè)備的編程細(xì)節(jié)。這允許數(shù)據(jù)手冊(cè)概述設(shè)備的高級(jí)功能，而無(wú)需有關(guān)寄存器描述或編程模型的不必要信息。

　　閃存通常用于存儲(chǔ)應(yīng)用程序代碼。在代碼執(zhí)行過程中，指令是從順序內(nèi)存地址獲取的，除非出現(xiàn)不連續(xù)。通常，駐留在順序地址中的代碼部分構(gòu)成了應(yīng)用程序代碼的大部分，稱為線性代碼。為了提高線性碼的執(zhí)行性能，實(shí)現(xiàn)了flash流水線模式。默認(rèn)情況下，將禁用閃存管道功能。在FOPT寄存器中設(shè)置ENPIPE位將啟用此模式。flash管道模式獨(dú)立于CPU管道。從閃存或OTP獲取的指令每次讀取64位。從flash訪問的起始地址自動(dòng)與64位邊界對(duì)齊，以便指令位置位于要獲取的64位之內(nèi)。啟用閃存管道模式（見圖1-2）時(shí)，從指令提取讀取的64位存儲(chǔ)在64位寬×2級(jí)深指令預(yù)提取緩沖區(qū)中。然后，這個(gè)預(yù)取緩沖區(qū)的內(nèi)容被發(fā)送到CPU，以便根據(jù)需要進(jìn)行處理。單個(gè)64位訪問中最多可以駐留兩條32位指令或四條16位指令。大多數(shù)C28x指令是16位的，因此，對(duì)于從閃存庫(kù)中提取的每64位指令，預(yù)提取緩沖區(qū)中可能有多達(dá)4條指令準(zhǔn)備通過CPU進(jìn)行處理。在處理這些指令的過程中，flash管道會(huì)自動(dòng)啟動(dòng)對(duì)flash bank的另一次訪問，以預(yù)取下一個(gè)64位。以這種方式，flash管道模式在后臺(tái)工作，以使指令預(yù)取緩沖區(qū)盡可能滿。使用這種技術(shù)，從flash或OTP順序代碼執(zhí)行的整體效率得到了顯著提高