鎂光MT29F系列FLASH規(guī)格書

　　Single-level cell （SLC） technology

　　? Organization

　　– Page size x8： 2，112 bytes （2，048 + 64 bytes

　　– Block size： 64 pages （128K + 4K bytes）

　　– Plane size： 2，048 blocks

　　– Device size： 4Gb： 4，096 blocks; 8Gb： 8，192 blocks;

　　16Gb： 16，384 blocks

　　? READ performance

　　– Random READ： 25μs （MAX）

　　– Sequential READ： 25ns （MIN）

　　? WRITE performance

　　– PROGRAM PAGE： 220μs （TYP）

　　– BLOCK ERASE： 1.5ms （TYP）

　　? Data retention： 10 years

　　? Endurance： 100，000 PROGRAM/ERASE cycles

　　? First block （block address 00h） guaranteed to be

　　valid up to 1，000 PROGRAM/ERASE cycles1

　　? Industry-standard basic NAND Flash command set

　　? Advanced command set：

　　– PROGRAM PAGE CACHE MOD

　　– PAGE READ CACHE MOD

　　– One-time programmable （OTP） commands

　　– Two-plane commands

　　– Interleaved die operations

　　– READ UNIQUE ID （contact factory

　　– READ ID2 （contact factory）

　　? Operation status byte provides a software method of

　　detecting：

　　– Operation completion

　　– Pass/fail condition

　　– Write-protect status

　　? Ready/busy# （R/B#） signal provides a hardware

　　method of detecting operation completion

　　? WP# signal： write protect entire device

　　? RESET required after power-up

　　? INTERNAL DATA MOVE operations supported

　　within the plane from which data is read