混合集成電路CMOS工藝中LowDose率對寄生雙極結(jié)構(gòu)的影響分析概述

　　許多雙極型線性集成電路已顯示出增強(qiáng)的低劑量率敏感性（ELDRS），其中當(dāng)暴露于電離輻射下的產(chǎn)品在低劑量率（LDR）時比暴露在高劑量率（HDR）時可能具有更差的總電離劑量（TID）性能。最近的測試細(xì)胞的研究表明，亞微米CMOS工藝也可能表現(xiàn)出ELDRS。一些CMOS產(chǎn)品，雖然不被認(rèn)為是BiCMOS，確實包含有源雙極元件使用寄生雙極結(jié)構(gòu)中存在的所有批量CMOS工藝。叁個混合信號CMOS產(chǎn)品，一個數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）和兩個模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC），使用不同的亞微米CMOS工藝和使用有源寄生雙極結(jié)構(gòu)，通過LDR TID測試來確定實際產(chǎn)品是否顯示ELDR。MIL-STD-83TM1019包含一種測試方法，通過使用HDR測試以及室溫煺火來限定對LDR環(huán)境的HDR TID測試失敗的產(chǎn)品。這種測試方法先前在超微米工藝節(jié)點上被證明。已經(jīng)提出，這種測試方法對于亞微米工藝是無效的。測試方法驗證了亞微米CMOS產(chǎn)品使用LDR測試數(shù)據(jù)從一個產(chǎn)品在這項研究中。

　　增強(qiáng)的低劑量率敏感性（ELDRS）已被廣泛地研究并證明存在于許多雙極線性集成電路［1 ］ -（10）中。在這些產(chǎn)品上，由于總電離劑量（TID）輻射引起的電參數(shù)漂移在相對低的劑量率（LDR）下更為明顯。這是對LDR環(huán)境的關(guān)注，例如空間。由于集成電路的輻射鑒定的發(fā)展，它起源于更高劑量率的基于武器的應(yīng)用，并且由于其實用性。在合理的時間內(nèi)進(jìn)行測試，TID測試