SST26VF016/SST26VF032中文資料數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF免費(fèi)下載(串行閃存)
資料介紹
串行四 I/O(SQI?)閃存器件系列采用 4 位復(fù)用 I/O 接口,可在低引腳數(shù)封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)低功耗和高性能的工作。使用 SQI 閃存器件的系統(tǒng)設(shè)計(jì)占用的電路板空間較少,最終可降低系統(tǒng)成本。 26 串行 SQI 系列的所有成員均采用 SST 專(zhuān)有的高性能 CMOS SuperFlash? 技術(shù)制造。與其他方法相比,分離柵極單元設(shè)計(jì)(Split-gate cell design)和厚氧化層隧穿注入器(Thick-oxide tunneling injector)可實(shí)現(xiàn)更高的可靠性和可制造性。 SST26VF016/032 可以顯著提高性能和可靠性,同時(shí)降低功耗。這些器件使用 2.7-3.6V 的單電源進(jìn)行寫(xiě)操作(編程或擦除)。消耗的總能量是應(yīng)用中施加電壓、電流和時(shí)間的函數(shù)。對(duì)于任何給定的電壓范圍, SuperFlash 技術(shù)的編程電流更低、擦除時(shí)間更短;因此,在任何擦除或編程操作期間消耗的總能量低于其他閃存技術(shù)。 SST26VF016/032 提供 8 觸點(diǎn) WSON (6 mm x 5 mm)和 8 引腳 SOIC (200 mil)封裝。有關(guān)引腳分配,請(qǐng)參見(jiàn)圖 2。
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