Toshiba東芝TPH4R50ANH1 MOSFETs硅N溝道MOS規(guī)格書(shū)

TPH4R50ANH1 MOSFET 擁有多個(gè)關(guān)鍵特性，使其在高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、開(kāi)關(guān)電壓調(diào)節(jié)器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中備受青睞：

1. 高速切換：
   • TPH4R50ANH1 的一大亮點(diǎn)就是其高速切換能力。這對(duì)于減少切換過(guò)程中的能量損耗至關(guān)重要，從而提高整個(gè)系統(tǒng)的效率。其典型門(mén)電荷 (QSW) 為 22 nC，輸出電荷 (Qoss) 為 79 nC，確保最小的切換損耗，進(jìn)而有助于更好的熱管理，并減少冷卻需求。
2. 低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))：
   • TPH4R50ANH1 的導(dǎo)通電阻在 VGS = 10V 時(shí)僅為 3.7 m?（典型值）。在需要最大限度降低導(dǎo)通損耗的應(yīng)用中，這種低 RDS(ON) 是關(guān)鍵。在電源應(yīng)用中，每一毫歐的阻抗都可能轉(zhuǎn)化為顯著的功率節(jié)約，使這款 MOSFET 成為節(jié)能設(shè)計(jì)的理想選擇。
3. 低漏電流：
   • TPH4R50ANH1 的漏電流 (IDSS) 最大值僅為 10 μA（在 VDS = 100 V 時(shí)），確保在待機(jī)或低功耗狀態(tài)下的最小能量浪費(fèi)。此特性對(duì)電池供電設(shè)備或?qū)囊髽O高的系統(tǒng)尤為重要。
4. 增強(qiáng)的熱管理：
   • MOSFET 的熱性能往往是高功率應(yīng)用中的限制因素。TPH4R50ANH1 的最大結(jié)殼熱阻 (Rth(ch-c)) 為 0.71°C/W，即使在嚴(yán)苛的條件下也能有效散熱。再加上在 Tc = 25°C 時(shí)高達(dá) 170 W 的功耗評(píng)級(jí)，使得這款 MOSFET 能在高功率環(huán)境中可靠運(yùn)行。