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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>可編程邏輯>FPGA/ASIC>龍芯3A、3B及2G芯片的主板存設計及布局指導資料說明

      龍芯3A、3B及2G芯片的主板存設計及布局指導資料說明

      2019-04-19 | doc | 0.01 MB | 次下載 | 1積分

      資料介紹

      　　本文檔為基于龍芯3A、3B及2G芯片的主板設計提供內存設計及l(fā)ayout指導，根據(jù)我 們針對現(xiàn)有的開發(fā)系統(tǒng)的信號測試結果及龍芯CPU的特點，給出了目前我們認為比較合理 的內存設計方案。本方案針對采用DDR3DIMM插槽的主板設計方案，

      　　2.電源設計要求

      　　Vref信號，該信號電流較小，但是該信號的不穩(wěn)定會導致時序誤差、產生比較大的jitter 等問題，所以需要保證Vref電壓值穩(wěn)定，波動范圍小于+-2%。對于Vref的走線要求：

      　　1）走線寬度30mils，推薦走在表層

      　　2）距離其它信號走線距離大于20mil，距其它干擾源（power switch，晶振等）250mil 以上

      　　3）Vref通過1%的電阻對DIMM_VDD分壓產生，在DIMM插槽的每一個Vref引腳和CPU 的每個Vref引腳附近至少放置0.01uF和0.1uF電容各一個，在分壓電阻附近放置1個0.1uF 電容。

      　　VTT電壓的設計及走線要求

      　　1）VTT瞬間電流需求較大，請采用專用的電源芯片產生，禁止使用電阻分壓方式

      　　2）VTT鋪銅走在表層，產生VTT的電源電路距DIMM插槽上的VTT引腳盡量近

      　　3）VTT的鋪銅平面上靠近DIMM插槽的位置放置4個0.1uF電容，另外需再放1~2個 10~22uF的電容。

      　　時鐘、命令和控制信號線在內存條上以MEM_VDD作為參考平面，而在Loongson3A上 參考平面為GND。為解決信號線跨分割帶來的信號完整性問題，需要在DIMM條附近增加 連接MEM_VDD和GND的電容。

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