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      電子發(fā)燒友網>電子資料下載>模擬數字>MOS場效應管的工作原理及作用詳細資料說明

      MOS場效應管的工作原理及作用詳細資料說明

      2019-12-17 | pdf | 0.31 MB | 次下載 | 1積分

      資料介紹

      　　場效應管 （MOSFET）是一種外形與普通晶體管相似， 但控制特性不同的半導體器件。 它的輸入電阻可高達 1015W，且工藝簡單， 十分適用于大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路， 根據其導電方式的不同，而分為增強型和耗盡型兩種。由于 P溝道與 N溝道的工作原理大致相同， 僅在導電載流子與供電電壓極性上有所區(qū)別，因此本文主要以介紹 N 溝道 MOS 場效應管為主。增強型場效應管所謂增強型是指：當 VGS=0時管子是呈截止狀態(tài)，加上正確的 VGS后，多數載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區(qū)域的載流子，形成導電溝道。常用的增強型場效應管型號： 10n60、4N60F （1）N 溝道增強型場效應管工作原理及作用介紹根據圖 1，N 溝道增強型 MOSFET基本上是一種左右對稱的拓撲結構，它是在 P 型半導體上生成一層 SiO2 薄膜絕緣層，然后用光刻工藝擴散兩個高摻雜的 N 型區(qū)，從 N 型區(qū)引出電極（漏極 D、源極 S）。在源極和漏極之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極 G。 P型半導體稱為襯底，用符號 B 表示。

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