MEMS振蕩器與傳統(tǒng)石英晶振，優(yōu)勢(shì)在哪里？資料下載

MEMS振蕩器體積更小巧，厚度可低至0.25毫米 MEMS振蕩器的穩(wěn)固程度為傳統(tǒng)石英晶振的十倍 ??MEMS振蕩器功耗更低(3.5毫安)、啟動(dòng)速度更快(3毫秒)、精度更高(10PPM) ??MEMS振蕩器采用的半導(dǎo)體技術(shù)，在生產(chǎn)的穩(wěn)定性比傳統(tǒng)石英晶振有優(yōu)勢(shì) ??MEMS振蕩器采用可編程的半導(dǎo)體技術(shù)，供貨周期由傳統(tǒng)晶振的十八周縮短為兩周 ??MEMS振蕩器振蕩頻率高(800M)，且可以實(shí)現(xiàn)與現(xiàn)有石英晶振的PIN-TO-PIN引腳兼容 ??雕塑家羅丹說(shuō)：“這世界從不缺乏美，缺少的只是發(fā)現(xiàn)的眼睛?！惫韫瘸鮿?chuàng)公司Sitime幾位創(chuàng)始人的經(jīng)歷告訴我們：這世界也從不缺少創(chuàng)新的機(jī)會(huì)，缺少的只是勇于創(chuàng)新的思想。幾位原本在BOSCH公司從事MEMS技術(shù)研究的科學(xué)家，發(fā)現(xiàn)了將MEMS技術(shù)引入時(shí)鐘領(lǐng)域的機(jī)會(huì)，發(fā)明了基于MEMS技術(shù)的全硅可編程振蕩器，從此在頻率市場(chǎng)誕生了一個(gè)完全不同以往的產(chǎn)品，這將發(fā)起對(duì)現(xiàn)有石英振蕩器的顛覆性沖擊。 ??只有采用完全不同以往的思想、技術(shù)、工藝才能帶來(lái)顛覆性的技術(shù)革命，這是修修補(bǔ)補(bǔ)的改造所不能實(shí)現(xiàn)的效果。由于MEMS振蕩器的實(shí)現(xiàn)原理完全不同于以往的石英晶振，因此它可以克服現(xiàn)有石英晶振的很多先天劣勢(shì)。具體總結(jié)如下： ??由采用全硅MEMS技術(shù)所帶來(lái)的優(yōu)勢(shì) ??1.體積優(yōu)勢(shì) ??石英晶振的振蕩頻率受石英晶體的體積所限，而要切割微小體積的石英晶體非常困難，且石英晶體的體積越小其制造良率就越低、制成后的抗沖擊能力就越差。MEMS振蕩器可以非常容易的實(shí)現(xiàn)小型化。目前MEMS振蕩器已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)2520的封裝體積，而如此之小的體積，石英晶體很難做到。” ??除了越來(lái)越小的電子設(shè)備需要更小體積振蕩器的配合，有些最新的電子設(shè)備的體積甚至已經(jīng)小到了傳統(tǒng)石英晶振難以滿足要求的地步。比如下一代高容量SIM卡(HC-SIM)由于要具備USB接口，因此需要外加時(shí)鐘，而HC SIM卡的厚度非常有限，厚度只有0.7毫米，傳統(tǒng)的石英晶振厚度很難做到1毫米以內(nèi)。 ??2.穩(wěn)定度優(yōu)勢(shì) ??傳統(tǒng)晶振在使用20M-33MHrs后會(huì)發(fā)生性能穩(wěn)定性下降的問(wèn)題，而MEMS振蕩器出現(xiàn)該問(wèn)題的時(shí)間是500MHrs，穩(wěn)定度提高十倍以上。 ??另外由于采用了SiTime公司擁有專利的穩(wěn)固封裝，MEMS振蕩器的仿真系數(shù)達(dá)到-50，000G，而傳統(tǒng)的石英晶振只能達(dá)到-2，000G。因此相比較易破碎的石英晶振，MEMS晶振要堅(jiān)固的多。 ??3.效能優(yōu)勢(shì) ??MEMS晶振可以做到更低的功耗和更快的啟動(dòng)時(shí)間。功耗可低至3.5毫安，啟動(dòng)速度快至3毫秒。這可以對(duì)滿足現(xiàn)有便攜產(chǎn)品的低功耗要求帶來(lái)幫助。 ??MEMS振蕩器可以實(shí)現(xiàn)10個(gè)PPM的精度，這是石英晶振難以達(dá)到的，現(xiàn)有石英晶振的最高精度為25-30PPM。更高的精度為設(shè)計(jì)師設(shè)計(jì)產(chǎn)品提供了冗余。 ??4.質(zhì)量的一致性優(yōu)勢(shì) ??MEMS振蕩器采用全硅工藝，完全按照半導(dǎo)體IC的制作工藝生產(chǎn)，可以采用成熟、穩(wěn)定的半導(dǎo)體工藝，因此它的質(zhì)量穩(wěn)定性更高。不同頻率的石英晶振則要采用不同的切割生產(chǎn)線，最后對(duì)產(chǎn)品的質(zhì)量穩(wěn)定性帶來(lái)影響。 ??5.成本優(yōu)勢(shì) ??MEMS采用全硅工藝，可以在世界上任何一家晶圓廠代工，巨大的產(chǎn)品數(shù)量不會(huì)對(duì)產(chǎn)品成本帶來(lái)影響。而如果是石英晶振，廠家如果要滿足超出目前產(chǎn)能的產(chǎn)品數(shù)量需求就需要添置設(shè)備建設(shè)更多的生產(chǎn)線，人力成本和設(shè)備成本的增加都會(huì)直接影響產(chǎn)品的成本，而新設(shè)備、新工人的使用甚至?xí)?duì)產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性帶來(lái)影響。 由于采用可編程技術(shù)帶來(lái)的優(yōu)勢(shì) 1.交貨周期大幅縮短 ??由于采用可編程技術(shù)，可以針對(duì)客戶的不同頻率需要，在很短的時(shí)間內(nèi)提供不同頻率的產(chǎn)品，平均的供貨期為兩周，而石英晶振通常的供貨周期為十八周。這在制造商對(duì)上市時(shí)間越來(lái)越敏感，產(chǎn)品生命周期越來(lái)越短的今天是十分重要的。 ??2.減少供貨商的數(shù)量和驗(yàn)證時(shí)間 ??采用傳統(tǒng)的石英晶振，沒(méi)有一家廠家可以保證能夠提供客戶所需的所有頻率。因此制造商需要選用多個(gè)晶振制造商的產(chǎn)品，并且為了保證產(chǎn)品可靠性需要對(duì)不同頻率的晶振進(jìn)行驗(yàn)證。 ??采用MEMS振蕩器，由于頻率是可編程的，只需要采有一個(gè)廠家的有限數(shù)量的振蕩器就可以滿足制造商對(duì)不同頻率振蕩器的需要。和盡量少的供貨商打交道，盡量少的花費(fèi)產(chǎn)品驗(yàn)證時(shí)間對(duì)制造商降低成本、簡(jiǎn)化制造流程、加快產(chǎn)品上市時(shí)間都是有幫助的。 ??3.對(duì)制造商解決EMI問(wèn)題帶來(lái)幫助 ??雖然設(shè)計(jì)師在設(shè)計(jì)初期做很多EMI/EMC問(wèn)題的考量，但往往會(huì)還是會(huì)在最終設(shè)計(jì)完成時(shí)碰到由于通不過(guò)EMI測(cè)試而無(wú)法量產(chǎn)的問(wèn)題。傳統(tǒng)的解決方法是：1.重新優(yōu)化布板，這是花費(fèi)時(shí)間最長(zhǎng)、成本最高的做法。2.給相應(yīng)的位置增加屏蔽罩和濾波器，這樣會(huì)增加成本和制造難度。3.有了MEMS擴(kuò)頻振蕩器，現(xiàn)在還有一種方法是采用擴(kuò)頻振蕩器擴(kuò)展時(shí)鐘頻譜對(duì)由時(shí)鐘帶來(lái)的EMI問(wèn)題加以解決，采用不同的擴(kuò)展方式和擴(kuò)展幅度可以取得不同的效果，最好的情況是可以降低EMI12個(gè)dB。實(shí)際應(yīng)用中，已經(jīng)有設(shè)計(jì)師通過(guò)使用MEMS擴(kuò)頻時(shí)鐘代替原有石英晶振使原來(lái)通不過(guò)EMI測(cè)試的產(chǎn)品順利過(guò)關(guān)。 其他優(yōu)勢(shì)： ??和現(xiàn)有的石英晶振PIN-TO-PIN，可以順利替代。 ??可以采用從1.8V至3.3V的多種電壓，全面覆蓋現(xiàn)有電子產(chǎn)品的輸出電壓規(guī)格。 ??具備差分輸出功能。振蕩頻率高，最高可以實(shí)現(xiàn)800M的振蕩頻率，滿足通信等高端應(yīng)用的需要。 ??由于存在以上的性能優(yōu)勢(shì)，長(zhǎng)期來(lái)看MEMS振蕩器將代替現(xiàn)有的石英晶振。但由于振蕩器在使用中具有價(jià)格低、用量大、功能重要的特點(diǎn)，很多制造商都有自己的使用習(xí)慣和固定客戶，MEMS晶振要代替石英晶振也存在以下需要解決的問(wèn)題： ??擴(kuò)大MEMS振蕩器在業(yè)界的認(rèn)知度 ??客戶使用習(xí)慣的培養(yǎng) ??拉大與石英晶振的價(jià)格優(yōu)勢(shì)，目前只是價(jià)格相當(dāng) ??MEMS晶振目前還主要是滿足制造商在替代使用中的需要，但是用過(guò)MEMS振蕩器的客戶由于認(rèn)識(shí)到了MEMS振蕩器的優(yōu)勢(shì)，回頭率都很高。 ??石英晶振自誕生起已經(jīng)走過(guò)了幾十年的時(shí)間，MEMS振蕩器是否是一個(gè)改朝換代的發(fā)明，我們都拭目以待。不過(guò)我建議設(shè)計(jì)師們可以嘗試一下，也許若干年后，當(dāng)MEMS振蕩器一統(tǒng)江湖的時(shí)候，你會(huì)為自己的先見(jiàn)之明而感到驕傲呢？ (mbbeetchina)