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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電源技術(shù)>THERMAL DESIGN OF POWER MOSFET

      THERMAL DESIGN OF POWER MOSFET

      2009-11-29 | rar | 344 | 次下載 | 5積分

      資料介紹

      THERMAL DESIGN OF POWER MOSFETS OPERATING IN PARALLEL

      The objective of this paper is the thermal design analysis of power MOSFETs operating
      in parallel and which uses phase change immersion cooling. The heat generation (electrical
      power dissipation) in such devices is a function of the device resistance and the current
      through the device, both of which are functions of junction temperature of the device.
      The junction temperature, in turn, depends on the thermal resistance between the junction
      and the fluid which is a function of the boiling heat transfer coefficient, and the power
      dissipated. The analysis presented in this paper considers this complex interdependency
      in the design of heat sinks such that the temperature is below the limit required by
      reliability consideration. Thermal coupling of MOSFETs minimizes the junction
      temperature.

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