資料介紹
IGBT 柵極驅(qū)動電壓Uge
1/ 理論上Uge≥Uge(th),IGBT 即可開通;
一般情況下Uge(th)=5~6V
2/ 當(dāng)Uge 增加時(shí),通態(tài)壓降減小,通態(tài)損耗減??;
但I(xiàn)GBT 承受短路電流能力減??;
當(dāng)Uge 太大時(shí),可能引起柵極電壓振蕩,損壞柵極
3/ 當(dāng)Uge 減小時(shí),通態(tài)壓降增加,通態(tài)損耗增加;
但I(xiàn)GBT 承受短路電流能力提高
4/ 為獲得通態(tài)壓降最小,同時(shí)IGBT 又具有較好的承受短路
電流能力,
通常選取Uge≥D*Uge(th),系數(shù)D=1.5、2、2.5、3
5/ 當(dāng)Uge(th)為6V,系數(shù)D 分別為1.5、2、2.5、3 時(shí),
Uge 則分別為9V、12V、15V、18V;
一般,柵極驅(qū)動電壓Uge 折中取12V~15V 為宜,12V 最佳
6/ IGBT 關(guān)斷時(shí), 柵極加負(fù)偏壓, 提高抗干撓能力,
提高承受dv/dt 能力,柵極負(fù)偏壓一般為-10V
1/ 理論上Uge≥Uge(th),IGBT 即可開通;
一般情況下Uge(th)=5~6V
2/ 當(dāng)Uge 增加時(shí),通態(tài)壓降減小,通態(tài)損耗減??;
但I(xiàn)GBT 承受短路電流能力減??;
當(dāng)Uge 太大時(shí),可能引起柵極電壓振蕩,損壞柵極
3/ 當(dāng)Uge 減小時(shí),通態(tài)壓降增加,通態(tài)損耗增加;
但I(xiàn)GBT 承受短路電流能力提高
4/ 為獲得通態(tài)壓降最小,同時(shí)IGBT 又具有較好的承受短路
電流能力,
通常選取Uge≥D*Uge(th),系數(shù)D=1.5、2、2.5、3
5/ 當(dāng)Uge(th)為6V,系數(shù)D 分別為1.5、2、2.5、3 時(shí),
Uge 則分別為9V、12V、15V、18V;
一般,柵極驅(qū)動電壓Uge 折中取12V~15V 為宜,12V 最佳
6/ IGBT 關(guān)斷時(shí), 柵極加負(fù)偏壓, 提高抗干撓能力,
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