資料介紹
同步整流技術(shù)簡(jiǎn)單介紹
大家都知道,對(duì)于開(kāi)關(guān)電源,在次級(jí)必然要有一個(gè)整流輸出的過(guò)程。
作為整流電路的主要元件,通常用的是整流二極管(利用它的單向?qū)щ娞匦裕?,它可以理解為一種被動(dòng)式器件:只要有足夠的正向電壓它就開(kāi)通,而不需要另外的控制電路。但其導(dǎo)通壓降較高,快恢復(fù)二極管(FRD)或超快恢復(fù)二極管(SRD)可達(dá)1.0~1.2V,即使采用低壓降的肖特基二極管(SBD),也會(huì)產(chǎn)生大約0.6V的壓降。這個(gè)壓降完全是做的無(wú)用功,并且整流二極管是一種固定壓降的器件,舉個(gè)例子:如有一個(gè)管子壓降為0.7V,其整流為12V時(shí)它的前端要等效12.7V電壓,損耗占0.7/12.7≈5.5%.而當(dāng)其為3.3V整流時(shí),損耗為0.7/4(3.3+0.7)≈17.5%。可見(jiàn)此類(lèi)器件在低壓大電流的工作環(huán)境下其損耗是何等地驚人。這就導(dǎo)致電源效率降低,損耗產(chǎn)生的熱能導(dǎo)致整流管進(jìn)而開(kāi)關(guān)電源的溫度上升、機(jī)箱溫度上升--------有時(shí)系統(tǒng)運(yùn)行不穩(wěn)定、電腦硬件使用壽命急劇縮短都是拜這個(gè)高溫所賜。
隨著電腦硬件技術(shù)的飛速發(fā)展,如GeForce 8800GTX顯卡,其12V峰值電流為16.2A。所以必須制造能提供更大輸出電流(如多核F1,四路12V,每路16A;3.3V和5V輸出電流各高達(dá)24A)的電源轉(zhuǎn)換器。
而當(dāng)前世界的能源緊張問(wèn)題的凸現(xiàn),為廣大用戶(hù)提供更高轉(zhuǎn)換效率(如多核R80,完全符合80PLUS標(biāo)準(zhǔn))的電源轉(zhuǎn)換器就是我們整個(gè)開(kāi)關(guān)電源行業(yè)的不可回避的社會(huì)責(zé)任了。
如何解決這些問(wèn)題?尋找更好的整流方式、整流器件。
同步整流技術(shù)和通態(tài)電阻(幾毫歐到十幾毫歐)極低的專(zhuān)用功率MOSFET就是在這個(gè)時(shí)刻走上開(kāi)關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的歷史舞臺(tái)了!
作為取代整流二極管以降低整流損耗的一種新器件,功率MOSFET屬于電壓控制型器件,它在導(dǎo)通時(shí)的伏安特性呈線(xiàn)性關(guān)系。因?yàn)橛霉β蔒OSFET做整流器時(shí),要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能,故稱(chēng)之為同步整流。它可以理解為一種主動(dòng)式器件,必須要在其控制極(柵極)有一定電壓才能允許電流通過(guò),這種復(fù)雜的控制要求得到的回報(bào)就是極小的電流損耗。
在實(shí)際應(yīng)用中,一般在通過(guò)20-30A電流時(shí)才有0.2-0.3V的壓降損耗。因?yàn)槠鋲航档扔陔娏髋c通態(tài)電阻的乘積,故小電流時(shí),其壓降和恒定壓降的肖特基不同,電流越小壓降越低。這個(gè)特性對(duì)于改善輕載效率(20%)尤為有效。這在80PLUS產(chǎn)品上已成為一種基本的解決方案了。
對(duì)于以上提到的兩種整流方案,我們可以通過(guò)灌溉農(nóng)田來(lái)理解:
肖特基整流管可以看成一條建在泥土上沒(méi)有鋪水泥的灌溉用的水道,從源頭下來(lái)的水源在中途滲漏了很多,十方水可能只有七、八方到了農(nóng)田里面。
而同步整流技術(shù)就如同一條鑲嵌了光滑瓷磚的引水通道,除了一點(diǎn)點(diǎn)被太陽(yáng)曬掉的損失外,十方水能有9.5方以上的水真正用于澆灌那些我們?nèi)杖召?lài)以生存的糧食。
我們的多核F1,多核R80,其3.3V整流電路采用了通態(tài)電阻僅為0.004歐的功率MOSFET,在通過(guò)24A峰值電流時(shí)壓降僅為20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作時(shí)的3.3V電流為10A,則其壓降損耗僅為10*0.004=0.04V,損耗比例為0.04/4=1%,比之于傳統(tǒng)肖特基加磁放大整流技術(shù)17.5%的損耗,其技術(shù)的進(jìn)步已不僅僅是一個(gè)量的變化,而可以說(shuō)是有了一個(gè)質(zhì)的飛躍了。也可以說(shuō),我們?yōu)橛脩?hù)修建了一條嚴(yán)絲合縫的灌溉電腦配件的供電渠道。
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