資料介紹
強(qiáng)大的展示:亞太經(jīng)合組織2012提供給設(shè)計(jì)工程師
2012屆應(yīng)用電力電子會(huì)議(APEC)在奧蘭多佛羅里達(dá)州迪斯尼科羅納多溫泉度假村舉行,是一次在技術(shù)論文、演講和專業(yè)研討會(huì)上的杰出活動(dòng)。創(chuàng)紀(jì)錄的參展商展示了他們的最新和最好的產(chǎn)品。領(lǐng)先的包是處理高電流,調(diào)光LED,提高效率,降低噪音的設(shè)備。
最有趣的,可能是最重要的,在未來的設(shè)計(jì)工作的介紹是新的氮化鎵(氮化鎵)和碳化硅(碳化硅)產(chǎn)品的揭幕。亞太經(jīng)合組織證實(shí),這些新技術(shù)現(xiàn)在是可行的產(chǎn)品,可以在成本和技術(shù)基礎(chǔ)上與硅競(jìng)爭(zhēng)。此外,這不是一個(gè)非此即彼的場(chǎng)景,你必須選擇氮化鎵或碳化硅。是的,有很多的改進(jìn),仍然是為技術(shù),但在亞太經(jīng)合組織的幾個(gè)廠家,包括德克薩斯儀器、國(guó)際整流器、CREE、semisouth,瑞薩,和力量整合,認(rèn)為現(xiàn)在是時(shí)候?yàn)榭蛻糸_始使用他們的權(quán)力的關(guān)鍵設(shè)計(jì)技術(shù)的兩個(gè)或兩。例如,國(guó)際整流器(耗盡型GaN HEMT場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和高效的功率轉(zhuǎn)換(EPC -增強(qiáng)型GaN晶體管)出席會(huì)議與他們最新的產(chǎn)品和享受有其他支持者如鈦打開新的門,客戶希望設(shè)計(jì)與GaN的成功。
For example, TI added a second eGaN FET driver, the LM5114, to its award-winning arsenal (first was the LM5113)。 A low-side gate driver for use with MOSFETs and GaN power FETs in high-density power converters, it provides isolated DC/DC conversion for high-performance telecom, networking, and data center applications.
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