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TPS5432x/62x及TPS54x18/x19低電壓輸入下的電二次啟動(dòng)問題解析

2017-11-16 | rar | 0.4 MB | 次下載 | 1積分

資料介紹

摘要
  TPS5432x/62x 是德州儀器推出的4.5V~17V 寬電源電壓輸入范圍,輸出電流最高可達(dá)6A的同步降壓SWIFT?系列轉(zhuǎn)換器,TPS54x18/x19 是2.95V~6V 窄電源電壓輸入范圍,輸出電流最高可達(dá)7A 的同步降壓SWIFT系列轉(zhuǎn)換器。該系列器件都具有熱性能增強(qiáng)的QFN 小體積封裝,專為板級(jí)空間要求苛刻的應(yīng)用優(yōu)化設(shè)計(jì),其內(nèi)部集成的高邊和低邊MOSFET 大大增強(qiáng)了其轉(zhuǎn)換效率并具有逐周期限流的過流保護(hù)機(jī)制。但該系列器件在實(shí)際低電壓輸入應(yīng)用中可能會(huì)出現(xiàn)下電時(shí)輸出二次啟動(dòng)的現(xiàn)象,本文以TPS54622 器件為例,針對(duì)該問題的產(chǎn)生原因進(jìn)行了研究分析并給出了相應(yīng)的解決方案,徹底消除了輸出電壓過沖問題,拓寬了TPS5432x/62x 系列和TPS54x18/x19 系列的應(yīng)用范圍。
  1 TPS54622 輸出二次啟動(dòng)問題簡(jiǎn)介
  TPS54622 是德州儀器推出的4.5V~17V 寬電源電壓輸入范圍,輸出電流可達(dá)6A 的同步降壓SWIFT?系列轉(zhuǎn)換器。該器件具有熱性能增強(qiáng)的3mmx3mm QFN 小體積封裝,專為板級(jí)空間要求苛刻的應(yīng)用優(yōu)化設(shè)計(jì),其內(nèi)部集成的高邊和低邊MOSFET 大大增強(qiáng)了其轉(zhuǎn)換效率并具有“打嗝式”(Hiccup)的過流保護(hù)機(jī)制。但該器件在實(shí)際使用過程中,低電壓輸入時(shí)(例如5V~6V 輸入)輸出電壓在下電過程中會(huì)出現(xiàn)多次過沖,最高尖峰幅值在負(fù)載為恒阻模式(CR Mode)下可達(dá)約1V,有可能影響供電后端微控制器處理器的正常工作。
  實(shí)際實(shí)驗(yàn)中測(cè)試抓取的TPS54622 輸出波形如圖1-a,圖1-b 所示,整個(gè)測(cè)試框架示意圖如圖2所示,測(cè)試電路原理圖如圖3 所示。實(shí)際測(cè)試中使用TPS54622 的評(píng)估板 (TPS54622EVM-012)作為被測(cè)對(duì)象,測(cè)試條件如下:
 ?、佥斎腚妷篤IN=5.0V
 ?、谳敵鲭妷篤OUT=3.3V
 ?、圯敵鲭娏鱅OUT=3A,使用電子負(fù)載分別設(shè)定為恒流和恒阻模式進(jìn)行測(cè)試
  TPS5432x/62x及TPS54x18/x19低電壓輸入下的電二次啟動(dòng)問題解析
  在圖1-a 和圖1-b 中,VIN 代表輸入電壓波形,VOUT 代表輸出電壓波形,VEN 代表使能端波形,VPG代表芯片電源正常(Power Good)引腳波形。從圖1-a 和圖1-b 中可以看出輸入電壓下電后,輸出電壓VOUT 沒有立即變?yōu)?V,而是經(jīng)過多次波動(dòng)后才降為0V。實(shí)際測(cè)試恒阻模式下過沖尖峰高達(dá)0.86V,這種輸出尖峰將大大干擾從此電壓獲取電源的MCU 及處理器的正常工作,使本已下電停機(jī)的MCU 或處理器再次啟動(dòng),影響系統(tǒng)工作的穩(wěn)定性,這在系統(tǒng)電源軌為0.9V、1.2V 等環(huán)境下表現(xiàn)的更為嚴(yán)峻。因此,為達(dá)到TPS54622 的電壓使用范圍(芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)標(biāo)稱工作范圍為4.5V~17V),有必要對(duì)此問題進(jìn)行深入分析并找到變通的解決方法。
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