資料介紹
本文解決熱問題與使用QFN封裝的GaN功率放大器,最初設(shè)計(jì)用于脈沖操作,在CW模式。需要考慮的部件安裝,以提供一個(gè)低的熱阻抗路徑,以最佳的操作和可靠性的系統(tǒng)散熱器,使用TGA2307-SM作為一個(gè)例子。
在微波頻率下的GaN放大器已經(jīng)為系統(tǒng)工程師提供了在更小的物理系統(tǒng)中產(chǎn)生更高的輸出功率電平的機(jī)會(huì)。然而,隨著系統(tǒng)能力的提高,需要對(duì)這些GaN器件提供足夠的熱管理。此外,許多高功率小封裝(例如,QFN)GaN器件,最初被設(shè)想用于脈沖應(yīng)用,由于其尺寸和重量小,越來(lái)越希望用于高功率CW系統(tǒng)。這些GaN器件的熱管理是由較小的封裝熱足跡和封裝到系統(tǒng)散熱器的其余部件的接口而變得復(fù)雜的。
一個(gè)例子是QoVoO TGA2307SM,一個(gè)5-6GHz的50瓦GaN功率放大器,使用QoVo的QGaN25生產(chǎn)工藝制造。該TGA2307 SM封裝在6毫米×6毫米40引腳塑料超塑性QFN封裝。最初開發(fā)的脈沖應(yīng)用,TGA2307 SM耗散了62-80沃茨平均功率與100的美國(guó)脈沖寬度和10%占空比。在PCB安裝中獲得足夠的熱管理,在該功率水平下,在封裝的主中心焊盤下使用填充銅的熱通孔(圖1),如在評(píng)估板(EVB)上使用的那樣。
平均功率耗散隨著占空比的增加而增加,直到在CW工作條件下耗散功率現(xiàn)在在60瓦范圍內(nèi)。以前的經(jīng)驗(yàn)表明,功率水平超過10-15瓦平均不能充分處理使用這種熱管理方法。具有加工基座和鑄造PCB的散熱片開口的PCB提供了通過將PCB封裝到最終的系統(tǒng)散熱器提供更低的熱阻來(lái)處理更高功耗的能力。
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