電力場效應晶體管在開關設備電源電路中的選型和應用的詳細說明

　　Power MOSFET 分為兩大類，即 N-ChanneL Power MOSFET 和 P-ChanneL Power MOSFET.兩大類下還有不同細分類別，這里就不一一解述，下面我們討論下在開關設備電源電路中的選型和應用時應該注意的事項（本文主要以 TI CSD18540Q5B 為主 進行討論）。

　　一、參數(shù)的選擇 1、Qg 總柵極電荷：Qg 是一個動態(tài)參數(shù)，柵極上的電荷量大小與開關速度由密切關系，Qg 越小，開關速度越大，頻率越高。Qg 是在 Vds、Vgs 和 Id 一定時的值，單位為 nC。MOS 的開關頻率還與驅動能力有關，對于 Qg 大的需要考慮采用驅動電阻較小的驅動電路。如下圖所示，Qg 包含了 C1 C2 C4 C3 C5 等柵極到源極，柵極到漏極的總電荷。另外在柵極上額外加電容也是會影響 MOS 管導通的速率。

　　2、RDS（on）：在特定的 Vgs 結溫及漏極電流的條件下， MOSFET 導通時漏源間的最大阻抗。它是一個非常重要的參數(shù)，決定了 MOSFET 導通時的消耗功率。此參數(shù)一般會隨結溫度的上升而有所增大。故應以此參數(shù)在最高工作結溫條件下的值作為損耗及壓降計算。如下圖所示是 TI CSD18540Q5B RDS（ON）與 Vgs 的關系。由圖可以得出當 Vgs 在較小的電壓區(qū)域時， MOS 工作在預夾斷狀態(tài)，此時 RDS 比較大，如果時間持續(xù)過長會導致 MOS 管損耗功率加大，有增加 MOS 管熱損壞風險機率。