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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電源技術(shù)>GaN充電器為什么會這么火爆

      GaN充電器為什么會這么火爆

      2020-11-19 | pdf | 0.27 MB | 次下載 | 5積分

      資料介紹

      　　不斷提高設(shè)備的能效是一個永無止境的目標(biāo)。第三代寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體材料獨(dú)有的高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率等特性，不僅能夠滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等最新需求，還可以降低 50%以上的能量損失，最高可使設(shè)備的體積減小近 75%。以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料已經(jīng)開始在射頻和功率領(lǐng)域挑戰(zhàn)硅（Si）材料的統(tǒng)治地位。 SiC 的禁帶寬度為 3eV，SiC 基 MOSFET 非常適用于高頻工作的高擊穿、高功率等應(yīng)用。與 Si 相比，因 RDS（on）等參數(shù)隨溫度的變化較小，在設(shè)計中可以有更寬的工作邊界，從而提供額外的性能。 GaN 具有比 SiC 更高的禁帶寬度（約為 3.4eV）和更高的電子遷移率。它的擊穿場強(qiáng)是 Si 的 10 倍，電子遷移率是 Si 的 2 倍，輸出電荷和柵極電荷都比硅低 10 倍，反向恢復(fù)電荷幾乎為零，這是高頻工作的關(guān)鍵?？梢哉f，GaN 是現(xiàn)代諧振拓?fù)渲凶钸m合的技術(shù)。

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