資料介紹
散熱仿真是開(kāi)發(fā)電源產(chǎn)品以及提供產(chǎn)品材料指南一個(gè)重要的組成部分。優(yōu)化模塊外形尺寸是終端設(shè)備設(shè)計(jì)的發(fā)展趨勢(shì),這就帶來(lái)了從金屬散熱片向 PCB 覆銅層散熱管理轉(zhuǎn)換的問(wèn)題。當(dāng)今的一些模塊均使用較低的開(kāi)關(guān)頻率,用于開(kāi)關(guān)模式電源和大型無(wú)源組件。對(duì)于驅(qū)動(dòng)內(nèi)部電路的電壓轉(zhuǎn)換和靜態(tài)電流而言,線性穩(wěn)壓器的效率較低。
隨著功能越來(lái)越豐富,性能越來(lái)越高,設(shè)備設(shè)計(jì)也變得日益緊湊,這時(shí) IC 級(jí)和系統(tǒng)級(jí)的散熱仿真就顯得非常重要了。 ???? 一些應(yīng)用的工作環(huán)境溫度為 70 到 125℃,并且一些裸片尺寸車載應(yīng)用的溫度甚至高達(dá) 140℃,就這些應(yīng)用而言,系統(tǒng)的不間斷運(yùn)行非常重要。進(jìn)行電子設(shè)計(jì)優(yōu)化時(shí),上述兩類應(yīng)用的瞬態(tài)和靜態(tài)最壞情況下的精確散熱分析正變得日益重要。
散熱管理
圖 1 IC 封裝中典型的熱傳遞路徑
???? 低成本、小外形尺寸、模塊集成和封裝可靠性是選擇封裝時(shí)需要考慮的幾個(gè)方面。由于成本成為關(guān)鍵的考慮因素,因此基于引線框架的散熱增強(qiáng)封裝正日益受到人們的青睞。這種封裝包括內(nèi)嵌散熱片或裸露焊盤(pán)和均熱片型封裝,設(shè)計(jì)旨在提高散熱性能。在一些表面貼裝封裝中,一些專用引線框架在封裝的每一面均熔接幾條引線,以起到均熱器的作用。這種方法為裸片焊盤(pán)的熱傳遞提供了較好的散熱路徑。?
IC?與封裝散熱仿真 ???? 散熱分析要求詳細(xì)、準(zhǔn)確的硅芯片產(chǎn)品模型和外殼散熱屬性。半導(dǎo)體供應(yīng)商提供硅芯片 IC 散熱機(jī)械屬性和封裝,而設(shè)備制造商則提供模塊材料的相關(guān)信息。產(chǎn)品用戶提供使用環(huán)境資料。 ???? 這種分析有助于 IC 設(shè)計(jì)人員對(duì)電源 FET 尺寸進(jìn)行優(yōu)化,以適用于瞬態(tài)和靜態(tài)運(yùn)行模式中的最壞情況下的功耗。在許多電源電子 IC 中,電源 FET 都占用了裸片面積相當(dāng)大的一部分。散熱分析有助于設(shè)計(jì)人員優(yōu)化其設(shè)計(jì)。 ???? 選用的封裝一般會(huì)讓部分金屬外露,以此來(lái)提供硅芯片到散熱器的低散熱阻抗路徑。模型要求的關(guān)鍵參數(shù)如下:
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硅芯片尺寸縱橫比和芯片厚度。
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功率器件面積和位置,以及任何發(fā)熱的輔助驅(qū)動(dòng)電路。
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電源結(jié)構(gòu)厚度(硅芯片內(nèi)分散情況)。
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硅芯片連接至外露金屬焊盤(pán)或金屬突起連接處的裸片連接面積與厚度。可能包括裸片連接材料氣隙百分比。
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外露金屬焊盤(pán)或金屬突起連接處的面積和厚度。
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使用鑄模材料和連接引線的封裝尺寸。
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硅芯片熱傳導(dǎo)性
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裸片連接、鑄模材料的熱傳導(dǎo)性
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金屬焊盤(pán)或金屬突起連接處的熱傳導(dǎo)性。
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封裝類型 (packageproduct) 和 PCB 相互作用
? ??
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多層 FR4 電路板(常見(jiàn)的為四層和六層電路板)
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單端電路板
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頂層及底層電路板
?散熱和熱阻路徑根據(jù)不同的實(shí)施方法而各異:
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連接至內(nèi)部散熱片面板的散熱焊盤(pán)或突起連接處的散熱孔。使用焊料將外露散熱焊盤(pán)或突起連接處連接至 PCB 頂層。
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位于外露散熱焊盤(pán)或突起連接處下方PCB 上的一個(gè)開(kāi)口,可以和連接至模塊金屬外殼的伸出散熱片基座相連。
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利用金屬螺釘將散熱層連接至金屬外殼的 PCB 頂部或底部覆銅層上的散熱片。使用焊料將外露散熱焊盤(pán)或突起連接處連接至 PCB 的頂層。
模型資料
???? 每一個(gè) FET 的尺寸和縱橫比,對(duì)熱分布都非常重要。需要考慮的另一個(gè)重要因素是 FET 是否同時(shí)或順序上電。模型精度取決于所使用的物理數(shù)據(jù)和材料屬性。 ???? 模型的靜態(tài)或平均功耗分析只需很短的計(jì)算時(shí)間,并且一旦記錄到最高溫度時(shí)便出現(xiàn)收斂。 ???? 瞬態(tài)分析要求功耗-時(shí)間對(duì)比數(shù)據(jù)。我們使用了比開(kāi)關(guān)電源情況更好的解析步驟來(lái)記錄數(shù)據(jù),以精確地對(duì)快速功率脈沖期間的峰值溫度上升進(jìn)行捕獲。這種分析一般費(fèi)時(shí)較長(zhǎng),且要求比靜態(tài)功率模擬更多的數(shù)據(jù)輸入。 ???? 該模型可仿真裸片連接區(qū)域的環(huán)氧樹(shù)脂氣孔,或 PCB 散熱板的鍍層氣孔。在這兩種情況下,環(huán)氧樹(shù)脂/鍍層氣孔都會(huì)影響封裝的熱阻(請(qǐng)參見(jiàn)圖 2)。
圖 2 熱傳遞的熱阻路徑
散熱定義
Θja—表示周圍熱阻的裸片結(jié)點(diǎn),通常用于散熱封裝性能對(duì)比。
· ? ? Θjc—表示外殼頂部熱阻的裸片結(jié)點(diǎn)。
· Θjp—表示外露散熱焊盤(pán)熱阻的芯片結(jié)點(diǎn),通常用于預(yù)測(cè)裸片結(jié)點(diǎn)溫度的較好參考。
Θjb—表示一條引線熱阻路徑下電路板的裸片結(jié)點(diǎn)。
PCB?與模塊外殼的實(shí)施
數(shù)據(jù)表明需要進(jìn)行一些改動(dòng)來(lái)降低頂部層附近裸片上的 FET 最高溫度,以防止熱點(diǎn)超出 150C 的 T 結(jié)點(diǎn)。系統(tǒng)用戶可以選擇控制該特定序列下的功率分布,以此來(lái)降低裸片上的功率溫度。
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