發(fā)光二極管測(cè)試方法

發(fā)光二極管測(cè)試方法
摘要
??系統(tǒng)地介紹了與發(fā)光二極管測(cè)試有關(guān)的術(shù)語(yǔ)和定義,在此基礎(chǔ)上,詳細(xì)介紹了測(cè)試方法和測(cè)試裝置的要求。
??1 前 言
??半導(dǎo)體發(fā)光二極管是一種重要的光電子器件,它在科學(xué)研究和工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中均有非常廣泛的應(yīng)用.發(fā)光二極管雖小,但要準(zhǔn)確測(cè)量它的各項(xiàng)光和輻射參數(shù)并非一件易事.目前在世界范圍內(nèi)的測(cè)試比對(duì)還有較大的差異.鑒于此,CIE(國(guó)際照明委員會(huì))TC2-34小組對(duì)此進(jìn)行了研究,所提出的技術(shù)報(bào)告形成了CIE127-1997文件.
??中國(guó)光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會(huì)光電器件專業(yè)分會(huì)根據(jù)國(guó)內(nèi)及行業(yè)內(nèi)部的實(shí)際情況,初步制定了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)"發(fā)光二極管測(cè)試方法",2002年起在行業(yè)內(nèi)部試行.本文敘述了與發(fā)光二極管測(cè)試有關(guān)的術(shù)語(yǔ)和定義,在此基礎(chǔ)上,詳細(xì)介紹了測(cè)試方法和測(cè)試裝置的要求,以期收到拋磚引玉之效果.
??本文涉及的測(cè)試方法適用于紫外/可見(jiàn)光/紅外發(fā)光二極管及其組件,其芯片測(cè)試可以參照進(jìn)行。
??2 術(shù)語(yǔ)和定義
??2.1發(fā)光二極管 LED
??除半導(dǎo)體激光器外，當(dāng)電流激勵(lì)時(shí)能發(fā)射光學(xué)輻射的半導(dǎo)體二極管。嚴(yán)格地講，術(shù)語(yǔ)LED應(yīng)該僅應(yīng)用于發(fā)射可見(jiàn)光的二極管；發(fā)射近紅外輻射的二極管叫紅外發(fā)光二極管（IRED,Infrared Emitting Diode）；發(fā)射峰值波長(zhǎng)在可見(jiàn)光短波限附近，由部份紫外輻射的二極管稱為紫外發(fā)光二極管；但是習(xí)慣上把上述三種半導(dǎo)體二極管統(tǒng)稱為發(fā)光二極管。
??2.2光軸 Optical axis
??最大發(fā)光（或輻射）強(qiáng)度方向中心線。
??2.3正向電壓VF Forward voltage
??通過(guò)發(fā)光二極管的正向電流為確定值時(shí)，在兩極間產(chǎn)生的電壓降。
??2.4反向電流IR Reverse current
??加在發(fā)光二極管兩端的反向電壓為確定值時(shí)，流過(guò)發(fā)光二極管的電流。
??2.5反向電壓VR Reverse voltage
??被測(cè)LED器件通過(guò)的反向電流為確定值時(shí)，在兩極間所產(chǎn)生的電壓降。
??2.6總電容C Capacitance
??在規(guī)定正向偏壓和規(guī)定頻率下，發(fā)光二極管兩端的電容。
??2.7開(kāi)關(guān)時(shí)間 Switching time
??涉及以下概念的最低和最高規(guī)定值是10％和90％，除非特別注明。
??2.7.1開(kāi)啟延遲時(shí)間td(on) Turn-on delay time
??輸入脈沖前沿最低規(guī)定值到輸出脈沖前沿最低規(guī)定值之間的時(shí)間間隔。
??2.7.2上升時(shí)間tr Rise time
??輸出脈沖前沿最低規(guī)定值到最高規(guī)定值之間的時(shí)間間隔。
??2.7.3開(kāi)啟時(shí)間ton Turn-on time
??器件所加輸入脈沖前沿的最低規(guī)定值到輸出脈沖前沿最高規(guī)定值之間的時(shí)間間隔。