資料介紹
在網(wǎng)上的很多論壇中都看到有人提問:應(yīng)用程序如何直接讀寫Flash的扇區(qū),或者是類似的問題??傊?,就是希望應(yīng)用程序能夠直接訪問Flash設(shè)備,直接讀寫扇區(qū)的數(shù)據(jù),或者作其他的操作。這幾天沒事,就嘗試著做了一下,把我的方法介紹給大家。
先做個簡單的介紹。WinCE支持Flash設(shè)備,一般指Nandflash或者是NORFlash,采用的架構(gòu)一般是FAL+FMD架構(gòu),我們實現(xiàn)FMD相關(guān)的接口函數(shù),F(xiàn)lash的驅(qū)動就算完成了。當(dāng)WinCE啟動以后,我們能夠看到Flash設(shè)備的磁盤。我們可以操作磁盤上面的文件,但是不能直接操作flash設(shè)備,對Flash設(shè)備的操作無非就是:讀,寫,擦除,讀ID。
現(xiàn)在開始介紹實現(xiàn)的方法。我們?nèi)绻朐趹?yīng)用程序中直接調(diào)用FMD中的FMD_ReadSector(。.),F(xiàn)MD_WriteSector(。.),F(xiàn)MD_EraseBlock(。.)是不太現(xiàn)實的。這里再補充一下,這三個函數(shù)分別是Flash的讀扇區(qū),寫扇區(qū),擦除塊的函數(shù)。好像有點羅嗦了。但是我們可以在應(yīng)用程序中調(diào)用到FMD_OEMIoControl(。.)函數(shù),這個是可以做到的。所以我們需要改一下Flash設(shè)備的驅(qū)動程序,也就是改Flash設(shè)備驅(qū)動中的FMD_OEMIoControl(。.)這個函數(shù)。我的改動如下:
BOOL FMD_OEMIoControl(DWORD dwIoControlCode, PBYTE pInBuf,DWORDnInBufSize, PBYTE pOutBuf, DWORD nOutBufSize,PDWORDpBytesReturned)
PFMDInterface pInterface = (PFMDInterface)pOutBuf;
RETAILMSG(1, (TEXT(“FMD_OEMIoControl: control code is0x%xrn”),dwIoControlCode));
switch(dwIoControlCode)
case IOCTL_FMD_GET_INTERFACE:
if (!pOutBuf nOutBufSize 《 sizeof(FMDInterface))
DEBUGMSG(1, (TEXT(“FMD_OEMIoControl: IOCTL_FMD_GET_INTERFACEbadmeter(s).rn”)));
return(FALSE);
pInterface-》cbSize = sizeof(FMDInterface);
pInterface-》pInit = FMD_Init;
pInterface-》pDeInit = FMD_Deinit;
pInterface-》pGetInfo = FMD_GetInfo;
pInterface-》pGetInfoEx = NULL; //FMD_GetInfoEx;
pInterface-》pGetBlockStatus = FMD_GetBlockStatus;
pInterface-》pSetBlockStatus = FMD_SetBlockStatus;
pInterface-》pReadSector = FMD_ReadSector;
pInterface-》pWriteSector = FMD_WriteSector;
pInterface-》pEraseBlock = FMD_EraseBlock;
pInterface-》pPowerUp = FMD_PowerUp;
pInterface-》pPowerDown = FMD_PowerDown;
pInterface-》pGetPhysSectorAddr = NULL;
pInterface-》pOEMIoControl = FMD_OEMIoControl;
break;
case 0xff123456:
FMD_ReadSector(。.);//調(diào)用讀Sector函數(shù)
break;
case 0xff654321:
FMD_WriteSector(。.);//調(diào)用寫Sector函數(shù)
break;
case 0xff123457:
FMD_EraseBlock(。.);//調(diào)用擦除Block函數(shù)
break;
default:
DEBUGMSG(1, (TEXT(“FMD_OEMIoControl: unrecognizedIOCTL(0x%x).rn”), dwIoControlCode));
return(FALSE);
return(TRUE);
在FMD_OEMIoControl(。.)函數(shù)里面增加了3個case,這3個case里面調(diào)用了讀/寫/擦除函數(shù)。至于Case的值,我是隨便定義的。這樣Flash設(shè)備的驅(qū)動部分就改完了。
在改完Flash驅(qū)動以后,我下面會提供兩種方法,每一種方法都和Flash設(shè)備的注冊表配置有關(guān):
1. 以Nandflash為例,當(dāng)然對于NORFlash來說大同小異,注冊表配置如下:
?。跦KEY_LOCAL_MACHINEDriversBuiltInNANDFlash]
“Dll”=“ep94xxnandflash.dll”
“Prefix”=“DSK”
“Order”=dword:4
;“Ioctl”=dword:4
“Profile”=“NSFlash”
“IClass”=“A4E7EDDA-E575-4252-9D6B-4195D48BB865”
; Override names in default profile
?。跦KEY_LOCAL_MACHINESystemStorageManagerProfilesNSFlash]
“Name”=“Ep94xx NAND Flash”
“Folder”=“NANDFlash”
“PartitionDriver”=“MSPart.dll”
“AutoMount”=dword:1
“AutoPart”=dword:1
“AutoFormat”=dword:1
?。跦KEY_LOCAL_MACHINESystemStorageManagerProfilesNSFlashFATFS]
“EnableCache”=dword:1
“CacheSize”=dword:1000
“MountBootable”=dword:1
“Flags”=dword:00000024
“CheckForFormat”=dword:1
先做個簡單的介紹。WinCE支持Flash設(shè)備,一般指Nandflash或者是NORFlash,采用的架構(gòu)一般是FAL+FMD架構(gòu),我們實現(xiàn)FMD相關(guān)的接口函數(shù),F(xiàn)lash的驅(qū)動就算完成了。當(dāng)WinCE啟動以后,我們能夠看到Flash設(shè)備的磁盤。我們可以操作磁盤上面的文件,但是不能直接操作flash設(shè)備,對Flash設(shè)備的操作無非就是:讀,寫,擦除,讀ID。
現(xiàn)在開始介紹實現(xiàn)的方法。我們?nèi)绻朐趹?yīng)用程序中直接調(diào)用FMD中的FMD_ReadSector(。.),F(xiàn)MD_WriteSector(。.),F(xiàn)MD_EraseBlock(。.)是不太現(xiàn)實的。這里再補充一下,這三個函數(shù)分別是Flash的讀扇區(qū),寫扇區(qū),擦除塊的函數(shù)。好像有點羅嗦了。但是我們可以在應(yīng)用程序中調(diào)用到FMD_OEMIoControl(。.)函數(shù),這個是可以做到的。所以我們需要改一下Flash設(shè)備的驅(qū)動程序,也就是改Flash設(shè)備驅(qū)動中的FMD_OEMIoControl(。.)這個函數(shù)。我的改動如下:
BOOL FMD_OEMIoControl(DWORD dwIoControlCode, PBYTE pInBuf,DWORDnInBufSize, PBYTE pOutBuf, DWORD nOutBufSize,PDWORDpBytesReturned)
PFMDInterface pInterface = (PFMDInterface)pOutBuf;
RETAILMSG(1, (TEXT(“FMD_OEMIoControl: control code is0x%xrn”),dwIoControlCode));
switch(dwIoControlCode)
case IOCTL_FMD_GET_INTERFACE:
if (!pOutBuf nOutBufSize 《 sizeof(FMDInterface))
DEBUGMSG(1, (TEXT(“FMD_OEMIoControl: IOCTL_FMD_GET_INTERFACEbadmeter(s).rn”)));
return(FALSE);
pInterface-》cbSize = sizeof(FMDInterface);
pInterface-》pInit = FMD_Init;
pInterface-》pDeInit = FMD_Deinit;
pInterface-》pGetInfo = FMD_GetInfo;
pInterface-》pGetInfoEx = NULL; //FMD_GetInfoEx;
pInterface-》pGetBlockStatus = FMD_GetBlockStatus;
pInterface-》pSetBlockStatus = FMD_SetBlockStatus;
pInterface-》pReadSector = FMD_ReadSector;
pInterface-》pWriteSector = FMD_WriteSector;
pInterface-》pEraseBlock = FMD_EraseBlock;
pInterface-》pPowerUp = FMD_PowerUp;
pInterface-》pPowerDown = FMD_PowerDown;
pInterface-》pGetPhysSectorAddr = NULL;
pInterface-》pOEMIoControl = FMD_OEMIoControl;
break;
case 0xff123456:
FMD_ReadSector(。.);//調(diào)用讀Sector函數(shù)
break;
case 0xff654321:
FMD_WriteSector(。.);//調(diào)用寫Sector函數(shù)
break;
case 0xff123457:
FMD_EraseBlock(。.);//調(diào)用擦除Block函數(shù)
break;
default:
DEBUGMSG(1, (TEXT(“FMD_OEMIoControl: unrecognizedIOCTL(0x%x).rn”), dwIoControlCode));
return(FALSE);
return(TRUE);
在FMD_OEMIoControl(。.)函數(shù)里面增加了3個case,這3個case里面調(diào)用了讀/寫/擦除函數(shù)。至于Case的值,我是隨便定義的。這樣Flash設(shè)備的驅(qū)動部分就改完了。
在改完Flash驅(qū)動以后,我下面會提供兩種方法,每一種方法都和Flash設(shè)備的注冊表配置有關(guān):
1. 以Nandflash為例,當(dāng)然對于NORFlash來說大同小異,注冊表配置如下:
?。跦KEY_LOCAL_MACHINEDriversBuiltInNANDFlash]
“Dll”=“ep94xxnandflash.dll”
“Prefix”=“DSK”
“Order”=dword:4
;“Ioctl”=dword:4
“Profile”=“NSFlash”
“IClass”=“A4E7EDDA-E575-4252-9D6B-4195D48BB865”
; Override names in default profile
?。跦KEY_LOCAL_MACHINESystemStorageManagerProfilesNSFlash]
“Name”=“Ep94xx NAND Flash”
“Folder”=“NANDFlash”
“PartitionDriver”=“MSPart.dll”
“AutoMount”=dword:1
“AutoPart”=dword:1
“AutoFormat”=dword:1
?。跦KEY_LOCAL_MACHINESystemStorageManagerProfilesNSFlashFATFS]
“EnableCache”=dword:1
“CacheSize”=dword:1000
“MountBootable”=dword:1
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