AVR單片機熔絲位問題有哪些資料下載

初學者對熔絲經(jīng)常不解，AVR芯片使用熔絲來設(shè)定時鐘、啟動時間、一些功能的使能、BOOT區(qū)設(shè)定、當然還有最讓初學者頭疼的保密位，設(shè)不好鎖了芯片很麻煩。要想使MCU功耗最小也要了解一些位的設(shè)定。 1：未編程 0：編程 1.BOD(Brown-out Detection) 掉電檢測電路 BODLEVEL(BOD電平選擇): 1: 2.7V電平; 0：4.0V電平 BODEN(BOD功能控制): 1：BOD功能禁止;0：BOD功能允許 使用方法：如果BODEN使能(復選框選中)啟動掉電檢測，則檢測電平由BODLEVEL決定。一旦VCC下降到觸發(fā)電平(2.7v或4.0v)以下，MCU復位;當VCC電平大于觸發(fā)電平后，經(jīng)過tTOUT 延時周后重新開始工作。 因為M16L可以工作在2.7v～5.5v，所以觸發(fā)電平可選2.7v(BODLEVEL=1)或4.0v(BODLEVEL=0);而M16工作在4.5～5.5V，所以只能選BODLEVEL=0，BODLEVEL=1不適用于ATmega16。 2.復位啟動時間選擇 SUT 1/0: 當選擇不同晶振時，SUT有所不同。 如果沒有特殊要求推薦SUT 1/0設(shè)置復位啟動時間稍長，使電源緩慢上升。 3.CKSEL3/0: 時鐘源選擇(時鐘總表) 時鐘總表 時鐘源 啟動延時 熔絲 外部時鐘 6 CK + 0 ms CKSEL=0000 SU 外部時鐘 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0000 SU 外部時鐘 6 CK + 65 ms CKSE SU 內(nèi)部RC振蕩 1MHZ 6 CK + 0 ms CKSE SU 內(nèi)部RC振蕩1MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSE SU 內(nèi)部RC振蕩1MHZ1 6 CK + 65 ms CKSE SU 內(nèi)部RC振蕩2MHZ 6 CK + 0 ms CKSE SU 內(nèi)部RC振蕩 2MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSE SU 內(nèi)部RC振蕩2MHZ 6 CK + 65 ms CKSE SU 內(nèi)部RC振蕩4MHZ 6 CK + 0 ms CKSE SU 內(nèi)部RC振蕩4MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSE SU 內(nèi)部RC振蕩4MHZ 6 CK + 65 ms CKSE SU 內(nèi)部RC振蕩8MHZ 6 CK + 0 ms CKSE SU 內(nèi)部RC振蕩8MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSE SU 內(nèi)部RC振蕩8MHZ 6 CK + 65 ms CKSE SU 外部RC振蕩≤0.9MHZ 18 CK + 0 ms CKSE SU 外部RC振蕩≤0.9MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSE SU 外部RC振蕩≤0.9MHZ 18 CK + 65 ms CKSE SU 外部RC振蕩≤0.9MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSE SU 外部RC振蕩0.9-3.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSE SU 外部RC振蕩0.9-3.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSE SU 外部RC振蕩0.9-3.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSE SU 外部RC振蕩0.9-3.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0110 SU 外部RC振蕩3.0-8.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=0111 SU 外部RC振蕩3.0-8.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSE SU 外部RC振蕩3.0-8.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL=0111 SU 外部RC振蕩3.0-8.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSE SU 外部RC振蕩8.0-12.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=1000 SU 外部RC振蕩8.0-12.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSE SU 外部RC振蕩8.0-12.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSE SU 外部RC振蕩8.0-12.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSE SU 低頻晶振(32.768KHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSE SU 低頻晶振(32.768KHZ) 1K CK + 65 ms CKSE SU 低頻晶振(32.768KHZ) 32K CK + 65 ms CKSE SU