AT93C46中文資料pdf

AT93C46/56/66是Atmel公司生產(chǎn)的低功耗、低電壓、電可擦除、可編程只讀存儲(chǔ)器，采用CMOS工藝技術(shù)制造并帶有３線串行接口，其容量分別為1kB/4kB，可重復(fù)寫100萬(wàn)次，數(shù)據(jù)可保存100年以上。文中介紹了該存儲(chǔ)器的引腳功能和指令時(shí)序，給出了AT93C46/56/66和單片機(jī)的接口應(yīng)用電路和軟件程序。ＡＴ９３Ｃ４６／５６／６６是ＡＴＭＥＬ公司推出的低功耗、低電壓電可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器。它采用ＣＭＯＳ技術(shù)和Ｆａｉｒｃｈｉｌｄ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ 公司的Ｍｉ-ｃｒｏＷｉｒｅ工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)３線串行接口，具有１ｋＢ／２ｋＢ／４ｋＢ的容量，并可通過ＯＲＧ管腳配置成１２８×８／２５６×８／５１２×８或６４×１６／１２８×１６／２５６×１６等結(jié)構(gòu)。該系列存儲(chǔ)器可靠性高，能夠重復(fù)寫１００萬(wàn)次，數(shù)據(jù)可以保存１００年不丟失；采用８腳ＰＤＩＰ／ＳＯＩＣ封裝和１４腳ＳＯＩ封裝（ＳＯＩ封裝為ＪＥＤＥＣ和ＥＩＡＪ標(biāo)準(zhǔn)），與并行的ＥＥＰＲＯＭ相比，ＡＴ９３Ｃ４６／５６／６６可大大節(jié)省印制板空間，且接線簡(jiǎn)單，因而在多功能的精密測(cè)試儀中具有廣闊的前途。ＡＴ９３Ｃ４６／５６／６６存儲(chǔ)器芯片的引腳排列如圖１所示。各引腳的功能如下：
ＣＳ：片選信號(hào)。高電平有效，低電平時(shí)進(jìn)入等待模式。在連續(xù)的指令之間，ＣＳ信號(hào)必須持續(xù)至少２５０ｎｓ的低電平，才能保證芯片正常工作。
ＣＬＫ：串行時(shí)鐘信號(hào)。在ＣＬＫ的上升沿，操作碼、地址和數(shù)據(jù)位進(jìn)入器件或從器件輸出。在發(fā)送序列時(shí)，ＣＬＫ最好不停止，以防止讀／寫數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤。
ＤＩ：串行數(shù)據(jù)輸入?？稍冢茫蹋说耐较螺斎腴_始位、操作碼、地址位和數(shù)據(jù)位。
ＤＯ：串行數(shù)據(jù)輸出。在ＣＬＫ同步下讀周期時(shí)，用于輸出數(shù)據(jù)；而在地址擦／寫周期或芯片擦／寫周期時(shí)，該端用于提供忙／閑信息。
ＶＳＳ：接地。
ＶＣＣ：接＋５Ｖ電源。
ＯＲＧ：存貯器構(gòu)造配置端。該端接ＶＣＣ或懸空時(shí)，輸出為１６位；接ＧＮＤ時(shí)，輸出為８位。
ＮＣ：空腳，不連接。 表1 AT93C46/56/66系統(tǒng)指令
地址位
數(shù)據(jù)位
指 令
起始位
操作碼
*8 *16
空
備 注
READ
1
10
AnAo AnAo
空
從指定的單元讀數(shù)
EWEN
1
00
11xxxxx 11xxxx
空
允許寫指令
ERASE
1
11
An～Ao An-1～Ao
空
擦除指定單元
WRITE
1
01
An～Ao An-1～Ao
D7～D0 D15～D0
寫入存儲(chǔ)單元
ERAL
1
00
10xxxxx 10xxxx
空
擦除存儲(chǔ)器所有單元
WRAL
1
00
01xxxx 01xxxx
D7～D0 D15～D0
寫入存儲(chǔ)器所有單元
EWDS
1
00
00xxxxx 00xxxx
空
禁止寫指令
表中，93C46 n=6;93C56n=7; 93C66n=8
２ 指令及時(shí)序
ＡＴ９３Ｃ４６／５６／６６的指令如表１所列，各指令的具體含義如下：
（１）擦／寫允許指令（ＥＷＥＮ）
由于在上電復(fù)位后?。粒裕梗常茫矗叮担叮叮妒紫葘⑻幱诓粒瘜懖辉试S狀態(tài)。故該指令必須在所有編程模式前執(zhí)行，一旦該指令執(zhí)行后，只要外部沒有斷電就可以對(duì)芯片進(jìn)行編程。
（２）地址擦指令（ＥＲＡＳＥ）
該指令用于強(qiáng)迫指定地址中所有數(shù)據(jù)位都為“１”。一旦信息在ＤＩ端上被譯碼，就需使ＣＳ信號(hào)保持至少２５０ｎｓ的低電平，然后將ＣＳ置為高電平，這時(shí)，ＤＯ端就會(huì)指示“忙”標(biāo)志。ＤＯ為“０”，表示編程正在進(jìn)行；ＤＯ為“１”，表示該指定地址的寄存器單元已擦完，可以執(zhí)行下一條指令。
（３）地址寫指令（ＷＲＩＴＥ）
寫指令時(shí)，先寫地址，然后將１６位的　或８位　數(shù)據(jù)寫入到指定地址中。當(dāng)ＤＩ端輸出最后一個(gè)數(shù)據(jù)位后，在ＣＬＫ時(shí)鐘的下一個(gè)上升沿以前，ＣＳ必須為低，且需至少保持２５０ｎｓ，然后將ＣＳ置為高電平。需要說明的是：寫周期時(shí)，每寫一個(gè)字節(jié)需耗時(shí)４ｍｓ。
（４）地址讀指令（ＲＥＡＤ）
讀指令用于從指定的單元中把數(shù)據(jù)從高位到低位輸出至ＤＯ端，但邏輯“０”位先于數(shù)據(jù)位輸出。讀指令在ＣＬＫ的上升沿觸發(fā)，且需經(jīng)過一段時(shí)間方可穩(wěn)定。為防止出錯(cuò)，建議在讀指令結(jié)束后，再輸出２～３個(gè)ＣＬＫ脈沖。
（５）芯片擦指令（ＥＲＡＬ）
該指令可將整個(gè)存貯器陣列置為１，其它功能與地址擦指令相同。
（６）芯片寫指令?。祝遥粒獭?BR>該指令可將命令中指定的數(shù)據(jù)寫入整個(gè)存貯器陣列，其它功能與地址寫指令相同。該指令周期所花費(fèi)時(shí)間的最大值為３０ｍｓ。
（７）擦／寫禁止指令（ＥＷＤＳ）
使用該指令可對(duì)寫入的數(shù)據(jù)進(jìn)行保護(hù)，操作步驟與擦／寫允許指令相同。 ３ ＡＴ９３Ｃ５６的應(yīng)用
３．１ ＡＴ９３Ｃ５６與８０Ｃ１９６ＫＢ的連接
串行ＥＥＰＲＯＭ芯片ＡＴ９３Ｃ５６同８０Ｃ１９６單片機(jī)接口的硬件電路連接方法如圖２所示。圖中，由于ＭＣＳ－９６系列１６位單片機(jī)的Ｐ１口為準(zhǔn)雙向口，因此，為了防止數(shù)據(jù)錯(cuò)位，在向其Ｐ１口寫數(shù)據(jù)時(shí)，必須先將Ｐ１口置“１”。