資料介紹
IR2117是美國(guó)IR公司專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)單個(gè)MOSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能特點(diǎn)和參數(shù)限制,同時(shí)剖析了它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理,最后給出了其典型應(yīng)用電路圖和應(yīng)用舉例。
??? 關(guān)鍵詞:柵極 懸浮 自舉 欠壓 IR2117
IR2117是美國(guó)IR公司專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)單個(gè)MOSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器,它采用高壓集成電路技術(shù)和無(wú)閂鎖CMOS技術(shù),并采用雙直插式封裝,可用于工作母線電壓高達(dá)600V的系統(tǒng)中。其輸入與標(biāo)準(zhǔn)的CMOS電平兼容,輸出驅(qū)動(dòng)特性可滿足交叉導(dǎo)通時(shí)間最短的大電流驅(qū)動(dòng)輸出級(jí)的設(shè)計(jì)要求。其懸浮通道與自舉技術(shù)的應(yīng)用使其可直接用來(lái)驅(qū)動(dòng)一個(gè)工作于母線電壓高達(dá)600V的、在高邊或低端工作的N溝道MOSFET或IGBT。
??? 關(guān)鍵詞:柵極 懸浮 自舉 欠壓 IR2117
IR2117是美國(guó)IR公司專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)單個(gè)MOSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器,它采用高壓集成電路技術(shù)和無(wú)閂鎖CMOS技術(shù),并采用雙直插式封裝,可用于工作母線電壓高達(dá)600V的系統(tǒng)中。其輸入與標(biāo)準(zhǔn)的CMOS電平兼容,輸出驅(qū)動(dòng)特性可滿足交叉導(dǎo)通時(shí)間最短的大電流驅(qū)動(dòng)輸出級(jí)的設(shè)計(jì)要求。其懸浮通道與自舉技術(shù)的應(yīng)用使其可直接用來(lái)驅(qū)動(dòng)一個(gè)工作于母線電壓高達(dá)600V的、在高邊或低端工作的N溝道MOSFET或IGBT。
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