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發(fā)視頻DH261鎖存型的霍爾效應(yīng)開關(guān)芯片的中文數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載
2018-10-12 |
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資料介紹
DH261是一個(gè)鎖存型的霍爾效應(yīng)開關(guān)IC，采用先進(jìn)的BiCMOS制程制造，具有優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性和很高的抗機(jī)械應(yīng)力性能，產(chǎn)品最高工作溫度可以達(dá)到125 ℃。DH261采用動(dòng)態(tài)失調(diào)消除技術(shù)以及芯進(jìn)電子專利保護(hù)的溫度補(bǔ)償技術(shù)，大幅降低了由于封裝應(yīng)力，環(huán)境溫度變化等因素造成的失調(diào)電壓，使產(chǎn)品磁靈敏度持高度的一致性。
DH261包含穩(wěn)壓輸出模塊，霍爾薄片，信號(hào)放大模塊，動(dòng)態(tài)失調(diào)消除模塊以及帶有限流保護(hù)的功率輸出級(jí)。當(dāng)磁場(chǎng)南極靠近 TO 標(biāo)識(shí)面，磁場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到閾值時(shí)，功率管導(dǎo)通，輸出低電平。當(dāng)磁場(chǎng)北極靠近DH261 TO標(biāo)識(shí)面，磁場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到閾值時(shí)，功率管截止，輸出高電平。內(nèi)置的穩(wěn)壓輸出電路模塊可以讓芯片工作在2.5V至28V電源電壓范圍。
DH261提供TO-92S和TSOT23-3兩種封裝，均為符合RoHS規(guī)范，產(chǎn)品的使用環(huán)境溫度范圍為-40~125℃。
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