BTN7971B大電流半橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的數(shù)據(jù)手冊免費(fèi)下載
資料介紹
BTN797 1B提供了一種用于保護(hù)高電流PWM電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的成本優(yōu)化解決方案,具有非常低的電路板空間消耗。
BTN7971B是Novalistic?系列的一部分,包含三個(gè)單獨(dú)的芯片,一個(gè)封裝在一個(gè)封裝中:一個(gè)P通道高側(cè)MOSFET和一個(gè)N通道低側(cè)MOSFET以及一個(gè)驅(qū)動(dòng)IC,形成一個(gè)集成的大電流半橋。三個(gè)芯片均安裝在一個(gè)通用引線框架上,采用片上芯片和逐片技術(shù)。電源開關(guān)采用垂直MOS技術(shù),以確保最佳的通態(tài)電阻。由于P溝道高邊開關(guān),電荷泵的需要被消除,從而最小化EMI。集成驅(qū)動(dòng)芯片易于與微控制器接口,具有邏輯電平輸入、電流檢測診斷、轉(zhuǎn)換率調(diào)整、死區(qū)時(shí)間產(chǎn)生和過溫、過電壓、欠壓、過流和短路保護(hù)等特點(diǎn)。BTN7971B可與其他BTN7971B組合,形成HBridge和3相驅(qū)動(dòng)配置。
特征
?150°C時(shí)最大路徑電阻為30.5 MΩ(典型16 MΩ@25°C)
高壓側(cè):最大12.8 MΩ@150°C(典型7 MΩ@25°C)
低壓側(cè):最大17.7 MΩ@150°C(典型9 MΩ@25°C)
?典型的低靜態(tài)電流。7μA @ 25°C
?高達(dá)25 kHz的脈寬調(diào)制能力,結(jié)合主動(dòng)飛輪
?提高開關(guān)速度,減少開關(guān)損耗
?開關(guān)模式電流限制,以減少過流中的功耗
?電流限制水平為50 A最小值/70 A典型值。(下側(cè))
?具有當(dāng)前感知能力的狀態(tài)標(biāo)志診斷
?超溫關(guān)閉,帶鎖扣行為
?過電壓鎖定
?欠壓停機(jī)
?帶邏輯電平輸入的驅(qū)動(dòng)電路
?可調(diào)轉(zhuǎn)換速率,優(yōu)化EMI
?綠色產(chǎn)品(符合RoHS)
?符合AEC標(biāo)準(zhǔn)
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