FLASH存儲器K9F2G08X0A的中文數(shù)據(jù)手冊免費下載

　　K9F2G08X0A是一個2，112Mbit（2，214，592，512bit）大小，擁有131，072行（頁）和2，112x8列的記憶體。額外的64x8列位于列地址的2，048~ 2，111。在頁編程和頁讀取操作期間，一個2，112-byte大小的數(shù)據(jù)寄存器（緩存）連接到存儲單元陣列在I/O緩存區(qū)和存儲區(qū)之間進行數(shù)據(jù)的暫存和傳輸。存儲器陣列基本結構是由32個單元串聯(lián)形成的一個NAND結構。32個單元每個都屬于不同的頁。一個塊包含兩個NAND 結構串。一個NAND結構包含32個單元。共1，081，344個NAND單元組成一個塊。讀取和編程操作是在頁面上執(zhí)行的，而擦除操作是基于塊的基礎上執(zhí)行的。存儲器陣列是由2048個單獨的可擦除的128K字節(jié)的塊組成的。這表明在K9F2G08X0A中一位一位的擦除操作是被禁止的。 K9F2G08X0A有8路I/O地址復用功能。該方案大大減少了引腳數(shù)并且允許系統(tǒng)升級到未來的密度還能保持一致性的系統(tǒng)模板設計。命令、地址和數(shù)據(jù)都通過I/O口寫入，此時將WE置為低電平且保持CE為低電平。它們都是通過WE的上升沿來鎖存數(shù)據(jù)的。命令鎖存使能 （CLE）和地址鎖存使能（ALE）用來通過I/O引腳區(qū)分命令和地址。一些命令需要一個總線周期。比如重置命令，狀態(tài)讀取命令等只需要一個總線周期。另外的一些命令比如頁讀取、頁編程、塊擦除等需要兩個周期：一個周期用來設置，另一個周期用來執(zhí)行。264MB的物理存儲空間需要29位的地址，因此需要5個周期來進行尋址：2個周期發(fā)送列地址，3個周期發(fā)送行地址，按順序進行。頁讀取和頁編程需要同樣的5個地址周期來遵循需要的命令輸入。對于塊擦除操作，只有3個行地址周期被使用。對命令寄存器寫特定的命令可以對設備進行不同的操作。表1 定義了對K9F2G08X0A進行操作的特定命令。除了增強的結構和接口，設備采用了copy-back編程特性，可以從一個頁直接復制到另一頁而無需外部緩沖設備進行數(shù)據(jù)傳輸。由于耗時的串行訪問和數(shù)據(jù)輸入周期被移除，固態(tài)磁盤應用系統(tǒng)的性能顯著提高。