完美的反向電壓保護(hù)

　　介紹

　　在半導(dǎo)體的電熔絲提供低成本，低阻抗解決方案的巴士保護(hù)和提供多更快的保護(hù)比許多保險(xiǎn)絲解決方案。他們是一個(gè)有效替代一polyfuse和電視卡二極管。一個(gè)領(lǐng)域，他們?cè)谛阅苌系牟煌欠聪驑O性保護(hù)。而電視裝置和polyfuse將防止反向電壓，集成的性質(zhì)半導(dǎo)體器件本身不允許這種類型保護(hù)。

　　這個(gè)簡(jiǎn)單的電路允許設(shè)備保護(hù)反向電壓的情況下，通過簡(jiǎn)單地阻斷反向電壓。這相當(dāng)于一個(gè)多保險(xiǎn)絲的動(dòng)作泄漏少。與機(jī)械保險(xiǎn)絲相比，這是一個(gè)非常優(yōu)越的解決方案，因?yàn)闄C(jī)械保險(xiǎn)絲將不會(huì)復(fù)位和此電路將自動(dòng)復(fù)位時(shí)施加正確電壓。

　　電路描述

　　為了防止反向電壓的外部需要開關(guān)。有兩個(gè)基本的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可以完成此功能。甲P溝道FET可以添加高側(cè)或N溝道FET可以在低側(cè)。N溝道FET更有效，通常如果打破地面線是可以接受的。如果負(fù)載與可能通電的電路有其它連接在反向極性輸入條件下，地面應(yīng)保持機(jī)智。如果需要打破高邊，P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)該使用。這兩個(gè)電路配置顯示在圖1和2。

　　反向保護(hù)電路包括齊納保護(hù)二極管，以防止過度的門到源電壓可能損壞場(chǎng)效應(yīng)晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管的12伏或更低的門，這是推薦。與20 V柵極場(chǎng)效應(yīng)管，穩(wěn)壓管和電阻器可以消除和門直接連接到其他軌只要最大系統(tǒng)瞬態(tài)規(guī)格是20 V或以下。一個(gè)表包含建議的FET。電壓和RDS（ON）只是建議。系統(tǒng)電壓規(guī)格應(yīng)考慮到確定最大場(chǎng)效應(yīng)管電壓和由于RDS（ON）的損失場(chǎng)效應(yīng)管。