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作為新型電力半導(dǎo)體器件的主要代表， IGBT被廣泛用于工業(yè)、信息、新能源、醫(yī)學(xué)、交通、軍事和航空領(lǐng)域。隨著半導(dǎo)體材料和加工工藝的不斷進(jìn)步， IGBT的電流密度、耐壓和頻率不斷得到提升。 目前，市場(chǎng)上的 IGBT器件的耐壓高達(dá) 6500V，單管芯電流高達(dá) 200A，頻率達(dá)到 300kHz。在高頻大功率領(lǐng)域，目前還沒有任何一個(gè)其它器件可以代替它。本文著重分析討論 IGBT器件的設(shè)計(jì)要點(diǎn)。
一、 IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
從圖 1 可以看出， IGBT是一個(gè)復(fù)合器件，由一個(gè) MOSFET和一個(gè) PNP三極管組成，也可以把它看成是一個(gè) VDMOS 和一個(gè) PN二極管組成。圖 2 是 IGBT的等效電路。
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