電子元器件基礎教程之場效應管和晶閘管與光電耦合器的資料說明

　　1.6 場效應管：

　　定義：場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫FET），簡稱場效應管，F(xiàn)ET是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。

　　由于它僅靠半導體中的多數(shù)載流子導電，又稱單極型晶體管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應管（JFET）和金屬 - 氧化物半導體場效應管（MOS-FET）。

　　它屬于電 控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

　　1.6.1場效應管的工作原理：

　?。?）JFET 工作原理：N溝道JFET工作時，

　　必須在柵極和源極之間加一個負電壓， JFET示意圖

　　VGS《 0，在D-S間加一個正電壓 VDS》0，在電場作用電流由漏極流向源極，形成電流iD.柵極與溝道間的PN結(jié)反偏，柵極電流iG接近0，隨著VGS減小，PN結(jié)反偏，耗盡層變寬，溝道變窄，溝道電阻變大，ID減??；VGS更負時，溝道更窄，ID更??；直至溝道被耗盡層全部覆蓋，溝道被夾斷， ID≈0。這時所對應的柵源電壓VGS稱為夾斷電壓VP

　　MOSFET 工作原理：

　　利用VGS的大小來控制半導體表面“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，從而達到控制漏極電流大小的目的。

　　場效應管：

　　1.6.2場效應管的特點：

　?。?）場效應管是電壓控制器件，它通過VGS（柵源電壓）來控制ID（漏極電流）；

　?。?）場效應管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。

　?。?）它是利用多數(shù)載流子導電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；

　?。?）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；

　?。?）場效應管的抗輻射能力強；

　?。?）由于它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。