資料介紹
"晶體三極管,是半導(dǎo)體基本元器件之一,具有電流放大作用,是電子電路的核心元件"
在電子元件家族中,三極管屬于半導(dǎo)體主動元件中的分立元件。
廣義上,三極管有多種,常見如下圖所示。
狹義上,三極管指雙極型三極管,是最基礎(chǔ)最通用的三極管。
本文所述的是狹義三極管,它有很多別稱:
三極管的發(fā)明
晶體三極管出現(xiàn)之前是真空電子三極管在電子電路中以放大、開關(guān)功能控制電流。
真空電子管存在笨重、耗能、反應(yīng)慢等缺點(diǎn)。
二戰(zhàn)時(shí),軍事上急切需要一種穩(wěn)定可靠、快速靈敏的電信號放大元件,研究成果在二戰(zhàn)結(jié)束后獲得。
早期,由于鍺晶體較易獲得,主要研制應(yīng)用的是鍺晶體三極管。硅晶體出現(xiàn)后,由于硅管生產(chǎn)工藝很高效,鍺管逐漸被淘汰。
經(jīng)半個(gè)世紀(jì)的發(fā)展,三極管種類繁多,形貌各異。?
小功率三極管一般為塑料包封;
大功率三極管一般為金屬鐵殼包封。
三極管核心結(jié)構(gòu)
核心是“PN”結(jié),是兩個(gè)背對背的PN結(jié),可以是NPN組合,也或以是PNP組合。
由于硅NPN型是當(dāng)下三極管的主流,以下內(nèi)容主要以硅NPN型三極管為例!
NPN型三極管結(jié)構(gòu)示意圖
硅NPN型三極管的制造流程
管芯結(jié)構(gòu)切面圖
工藝結(jié)構(gòu)特點(diǎn):
發(fā)射區(qū)高摻雜:為了便于發(fā)射結(jié)發(fā)射電子,發(fā)射區(qū)半導(dǎo)體摻濃度高于基區(qū)的摻雜濃度,且發(fā)射結(jié)的面積較小;
基區(qū)尺度很薄:3~30μm,摻雜濃度低;
集電結(jié)面積大:集電區(qū)與發(fā)射區(qū)為同一性質(zhì)的摻雜半導(dǎo)體,但集電區(qū)的摻雜濃度要低,面積要大,便于收集電子。
三極管不是兩個(gè)PN結(jié)的間單拼湊,兩個(gè)二極管是組成不了一個(gè)三極管的!
工藝結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相當(dāng)重要,PN結(jié)不同材料成份、尺寸、排布、摻雜濃度和幾何結(jié)構(gòu),能制成各樣各樣的元件,包括IC。
三極管電路符號
三極管電流控制原理示意圖
三極管基本電路
外加電壓使發(fā)射結(jié)正向偏置,集電結(jié)反向偏置。
集/基/射電流關(guān)系:
IE = IB IC
IC = β * IB
如果 IB = 0, 那么 IE = IC = 0
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