如何才能實(shí)現(xiàn)復(fù)雜性低的EMI

　　對(duì)于汽車(chē)、通信以及測(cè)試與測(cè)量設(shè)備等廣大系統(tǒng)制造商來(lái)說(shuō)，技術(shù)的發(fā)展帶來(lái)了終端功能與性能的大幅提升，其根源在于系統(tǒng)中配備的功能愈加豐富的電子模塊。然而功能越豐富，電路就越復(fù)雜，不論是新款汽車(chē)中裝載的中控集成式多媒體系統(tǒng)、高性能音響系統(tǒng)，還是體積越來(lái)越小的 5G 通信設(shè)備（手機(jī)及基站），抑或是要求精度越來(lái)越高的儀器儀表，對(duì)于高精度數(shù)字和模擬 IC 的要求都愈發(fā)嚴(yán)苛，特別是在供電需求方面。作為任何電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)不可或缺的部分，電源性能的高低對(duì)于系統(tǒng)性能的高低有著至關(guān)重要的影響。而電磁干擾（EMI）特性則是其中最關(guān)鍵的性能之一。這種干擾通過(guò)電磁感應(yīng)、靜電耦合或傳導(dǎo)來(lái)影響電路，對(duì)于電源性能的任何要求（功率密度增加、開(kāi)關(guān)頻率更高以及電流更大）都會(huì)擴(kuò)大 EMI 的影響。因此，如果在設(shè)計(jì)初期不加以考慮，將會(huì)嚴(yán)重影響產(chǎn)品的性能及上市時(shí)間。針對(duì)此種現(xiàn)狀，ADI 推出了專(zhuān)為低 EMI 場(chǎng)景設(shè)計(jì)的 Silent Switcher 系列架構(gòu)穩(wěn)壓器解決方案。

　　Silent Switcher 架構(gòu)這樣消除 EMI 干擾

　　最常用的 EMI 管制標(biāo)準(zhǔn)是 CISPR 25 Class 5，它詳細(xì)說(shuō)明了 150 kHz 至 1 GHz 頻率下的可接受限值。要在達(dá)到該要求，通常會(huì)涉及復(fù)雜的設(shè)計(jì)和測(cè)試程序，包括在解決方案的尺寸、總效率、可靠性和復(fù)雜性等眾多方面進(jìn)行權(quán)衡。傳統(tǒng)方法通過(guò)減慢開(kāi)關(guān)邊沿或降低開(kāi)關(guān)頻率來(lái)控制 EMI，由此帶來(lái)的弊端是效率降低，最小開(kāi)關(guān)時(shí)間增加，解決方案尺寸增大。替代緩解方案包含龐大復(fù)雜的 EMI 濾波器、緩沖器或金屬屏蔽，這會(huì)顯著增加電路板空間、元件和裝配方面的成本，并使熱管理和測(cè)試復(fù)雜化。 Silent Switcher 降壓型穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)在高開(kāi)關(guān)頻率（》2 MHz）下提供高效率、超低電磁干擾輻射，從而可實(shí)現(xiàn)非常緊湊且低噪聲的降壓解決方案。該系列采用了特殊的設(shè)計(jì)和封裝技術(shù)：在設(shè)計(jì)上，通過(guò)將熱回路分成極性相反的兩個(gè)回路，形成可以相互抵消的局部磁場(chǎng)；在封裝上，通過(guò)倒裝硅芯片并添加銅柱來(lái)縮短內(nèi)部 FET 到封裝引腳和輸入電容的距離，以縮小熱回路的范圍。利用上述技術(shù)，Silent Switcher 在 2 MHz 下能夠?qū)崿F(xiàn)》92%的效率，同時(shí)可以輕松符合 CISPR 25 5 類(lèi)峰值 EMI 限制。
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