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在看到 MOSFET 數(shù)據(jù)表時,你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷),其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模棱兩可(IDA、SOA 曲線),而其它的某些參數(shù)自始至終就毫無用處(比如說:開關(guān)時間)。在這個即將開始的博文系列中,我們將試著破解 FET 數(shù)據(jù)表,這樣的話,讀者就能夠很輕松地找到和辨別那些對于他們的應(yīng)用來說,是最常見的數(shù)據(jù),而不會被不同的生產(chǎn)商為了使他們的產(chǎn)品看起來更吸引人而玩兒的文字游戲所糊弄。自從 20 世紀(jì) 80 年代中期在 MOSFET 數(shù)據(jù)表中廣泛使用的以來,無鉗位電感開關(guān) (UIS) 額定值就已經(jīng)被證明是一個非常有用的參數(shù)。雖然不建議在實際應(yīng)用中使用 FET 的重復(fù)雪崩,工程師們已經(jīng)學(xué)會了用這個度量標(biāo)準(zhǔn)在制定新器件開發(fā)方案時避免那些有可能導(dǎo)致問題的脆弱器件。在溫度范圍內(nèi)具有特別薄弱 UIS 能力或者發(fā)生嚴(yán)重降級的器件(25°C 至 125°C 之間大于 30%)應(yīng)當(dāng)被禁止,因為這些器件會更容易受到故障的影響。設(shè)計人員也應(yīng)該對制造商在額定值上搗鬼,夸大他們的 FET 雪崩能力而感到厭煩。 UIS 測試由圖 1 中所示的測試電路執(zhí)行。在 FET 關(guān)閉時,其上施加了一個電源電壓,然后檢查器件上是否有泄露。在 FET 接通時,電感器電流穩(wěn)定增加。當(dāng)達(dá)到所需的電流時,F(xiàn)ET 被關(guān)閉,F(xiàn)ET 上的 Ldi/dt 電壓擺幅在 MOSFET 擊穿電壓之上,從而激活了其內(nèi)在的寄生雙極晶體管,并在 FET 上出現(xiàn)有效的雪崩效應(yīng)。這項測試重復(fù)進(jìn)行,電流逐漸增加,直到開始的泄漏測試失敗,表明器件已被損壞。
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