資料介紹
圖像傳感器最為關(guān)鍵的規(guī)格是像素尺寸,像素尺寸越大則進(jìn)光量越大,在相同時間里可以承載更多光線能量,便可以更明顯的提升畫質(zhì),更真實的還原影像場景。而數(shù)字相機, 監(jiān)控和手機所采用圖像傳感器的素像尺寸是不一樣。通常數(shù)字相機、監(jiān)控使用大尺寸像素的圖像傳感器,但像素尺寸增大則圖像傳感器面積會大幅增加,攝像頭模塊體積也相對增大,模塊高度增加,功耗大幅增加,發(fā)熱量增加等問題產(chǎn)生,這樣的變化在監(jiān)控固然可以接受,但放在追求便于攜帶的手機等手持式應(yīng)用上是不太合適。實際上,即便是一些不喜歡采用高像素攝像頭的手機制造商,像素阱加深也是趨勢。不過一旦像素阱變深了,那么臨近像素之間就更容易產(chǎn)生串?dāng)_。目前手機 CIS 解決串?dāng)_問題的技術(shù)焦點就在深槽隔離技術(shù)(DTI)上,即在每個像素阱之間加入隔斷、避免串?dāng)_。
普及一下 DTI 的機制:
一般來說不具備 DTI 像素隔離技術(shù)的圖像傳感器在手機照相時,隨著像素變得越來越小,像素之間會發(fā)生彼此之間抗干擾能力減弱,造成錯誤的感應(yīng)光源顏色,這個現(xiàn)象被稱為串?dāng)_(crosstalk),光電二極管會將光能部分轉(zhuǎn)化成為細(xì)微的電流,而這些電流有時會出現(xiàn)在不該出現(xiàn)的地方,造成干擾而影響影像的色彩。DTI 像素隔離技術(shù)簡單說就是在像素之間建立『隔離墻』增加光線利用率降低干擾,提升抗噪能力和顏色純凈度,讓影像的色彩表現(xiàn)更加出色。如下圖,Si-SiO2 界面可用作隔離墻阻止電子擴散,降低串?dāng)_;Si-SiO2 組成了類波導(dǎo)結(jié)構(gòu),將光線限制在硅中,實現(xiàn)了光學(xué)隔離,并且延長光在硅中的光程,提高量子效率、降低串?dāng)_。與前兩種解決方案相比,DTI 結(jié)構(gòu)的隔離效果最為顯著。另外,溝槽越深,DTI 的隔離性越好,串?dāng)_越小。由下圖結(jié)果知,DIT 的深度一般要超過 4μm。
那么為什么 DTI 對小像素性能如此重要?
下圖說明了縮放后,像素的主要問題,包括保持可接受的光電二極管滿井容量(FWC)和抑制串?dāng)_。通過增加活性硅的厚度可以解決滿井容量大小 FWC 問題;然而,如果沒有高性能的 DTI 結(jié)構(gòu),串?dāng)_問題將是一個限制因素。從概念上講,DTI 結(jié)構(gòu)很容易理解。這些可以在來自前面的工藝流(前面 DTI 或 F-DTI)的較早的過程流中實現(xiàn),或者在活性 Si 稀釋工藝(后面 DTI 或 B-DTI)之后的較晚的過程流中實現(xiàn)。這兩種策略現(xiàn)在都在大量生產(chǎn)中,并且都需要仔細(xì)的開發(fā)來緩解 DTI 蝕刻工藝產(chǎn)生的暗電流問題。
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