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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>雙脈沖測(cè)試到底是什么

      雙脈沖測(cè)試到底是什么

      2020-12-28 | pdf | 0.19 MB | 次下載 | 5積分

      資料介紹

      　　通過雙脈沖測(cè)試評(píng)估 MOSFET 的反向恢復(fù)特性我們開設(shè)了 Si 功率元器件的新篇章——“評(píng)估篇”。在“通過雙脈沖測(cè)試評(píng)估 MOSFET 的反向恢復(fù)特性”中，我們將通過雙脈沖測(cè)試來評(píng)估 MOSFET 體二極管的反向恢復(fù)特性，并確認(rèn) MOSFET 損耗情況。

      　　1 MOSFET 體二極管的反向恢復(fù)特性與橋式電路損耗的關(guān)系在逆變器電路和 Totem Pole 型功率因數(shù)改善（PFC）電路等具有 2 個(gè)以上 MOSFET 的橋式電路中，由于流過上下橋臂的電流會(huì)使導(dǎo)通損耗增加。該現(xiàn)象受開關(guān) MOSFET 和對(duì)應(yīng)橋臂 MOSFET 的體二極管（寄生二極管）的反向恢復(fù)特性影響很大。因此，在橋式電路中，體二極管反向恢復(fù)特性優(yōu)異的 MOSFET 優(yōu)勢(shì)明顯。

      　　2 什么是雙脈沖測(cè)試？雙脈沖測(cè)試是廣泛應(yīng)用于 MOSFET 和 IGBT 等功率開關(guān)元件特性評(píng)估的一種測(cè)試方法。該測(cè)試不僅可以評(píng)估對(duì)象元件的開關(guān)特性，還可以評(píng)估體二極管和 IGBT 一同使用的快速恢復(fù)二極管（FRD）等的反向恢復(fù)特性。因此，對(duì)導(dǎo)通時(shí)發(fā)生反向恢復(fù)特性引起損耗的電路的評(píng)估非常有效。雙脈沖測(cè)試的基本電路圖如下所示。

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