MOSFET柵極前100歐姆電阻有什么樣的作用

　　高端電流檢測(cè)簡(jiǎn)介

　　圖 1 中的電路所示為一個(gè)典型的高端電流檢測(cè)示例。

　　負(fù)反饋試圖在增益電阻 RGAIN 上強(qiáng)制施加電壓 VSENSE。通過(guò) RGAIN 的電流流過(guò) P 溝道 MOSFET （PMOS），進(jìn)入電阻 ROUT，該電阻形成一個(gè)以地為基準(zhǔn)的輸出電壓。

　　電阻 ROUT 上的可選電容 COUT 的作用是對(duì)輸出電壓濾波。即使 PMOS 的漏極電流快速跟隨檢測(cè)到的電流，輸出電壓也會(huì)展現(xiàn)出單極點(diǎn)指數(shù)軌跡。

　　原理圖中的電阻 RGATE 將放大器與 PMOS 柵極隔開(kāi)。其值是多少？經(jīng)驗(yàn)豐富的 Gureux 可能會(huì)說(shuō)：“當(dāng)然是 100 Ω！

　　嘗試多個(gè)阻值

　　我們發(fā)現(xiàn)，我們的朋友 Neubean，也是 Gureux 的學(xué)生，正在認(rèn)真思考這個(gè)柵極電阻。Neubean 在想，如果柵極和源極之間有足夠的電容，或者柵極電阻足夠大，則應(yīng)該可以導(dǎo)致穩(wěn)定性問(wèn)題。一旦確定 RGATE 和 CGATE 相互會(huì)產(chǎn)生不利影響，則可以揭開(kāi) 100 Ω或者任何柵極電阻值成為合理答案的原因。圖 2 所示為用于凸顯電路行為的 LTspice 仿真示例。Neubean 通過(guò)仿真來(lái)展現(xiàn)穩(wěn)定性問(wèn)題，他認(rèn)為，穩(wěn)定性問(wèn)題會(huì)隨著 RGATE 的增大而出現(xiàn)。畢竟，來(lái)自 RGATE 和 CGATE 的極點(diǎn)應(yīng)該會(huì)蠶食與開(kāi)環(huán)關(guān)聯(lián)的相位裕量。然而，令 Neubean 感到驚奇的是，在時(shí)域響應(yīng)中，所有 RGATE 值都未出現(xiàn)任何問(wèn)題。