資料介紹
功率MOSFET的感性負載關(guān)斷過程和開通過程一樣,有4個階段,但是時間常數(shù)不一樣。驅(qū)動回路的等效電路圖如圖1所示,RG1為功率MOSFET外部串聯(lián)的柵極電阻,RG2為功率MOSFET內(nèi)部的柵極電阻,RDown為驅(qū)動電路的下拉電阻,關(guān)斷時柵極總的等效串聯(lián)柵極電阻RGoff=RDown RG1 RG2。
圖1:功率MOSFET驅(qū)動等效電路
圖2:功率MOSFET關(guān)斷波形
(1)模式M1:t5-t6
柵極驅(qū)動信號關(guān)斷,VGS電壓從VCC以指數(shù)關(guān)系下降,ID電流、VDS電壓維持不變,在t6時刻,VGS降為米勒平臺電壓,這個階段結(jié)束。
此過程中,柵極的電壓VGS為:
其中:,VCC為柵極驅(qū)動電源的電壓。若t5=0,則有:
在實際應(yīng)用中如連續(xù)模式CCM工作的BUCK變換器,電感電流在開通時刻和關(guān)斷時刻并不一樣,因此開通時刻和關(guān)斷時刻的米勒平臺電壓VGP也不一樣,要分別根據(jù)各自的電流和跨導(dǎo)計算實際的米勒平臺電壓。
(2)模式M2:t6-t7
在t6時刻,功率MOSFET進入關(guān)斷的米勒平臺區(qū),這個階段的ID電流保持不變,VDS電壓下升到最大值即電源電壓VDD后,這個階段結(jié)束。
整個米勒平臺持續(xù)的時間為:
(3)模式M3:t7-t8
從t7時刻開始,ID電流從最大值減小,VDS電壓保持電源電壓VDD不變,當VGS電壓減小到VGS(th)時,ID電流也減小到約為0時,這個階段結(jié)束。
VGS電壓的變化公式和模式1相同,只是起始電壓和結(jié)束電壓不一樣。
(4)模式M4:t8-t9
這個階段為ID電流為0,VDS電壓保持電源電壓VDD不變,當VGS電壓減小到0時,這個階段結(jié)束,VGS電壓的變化公式和模式1相同。
在關(guān)斷過程中,t6~t7和t7~t8二個階段電流和電壓產(chǎn)生重疊交越區(qū),因此產(chǎn)生開關(guān)損耗。
關(guān)斷損耗可以用下面公式計算:
同樣,關(guān)斷損耗的米勒平臺時間在關(guān)斷損耗中占主導(dǎo)地位。對于兩個不同的MOSFET,如A管和B管,即使A管的Qg和Ciss小于B管的,但如果A管的Crss比B管的大得多時,A管的開關(guān)損耗就有可能大于B管,因此選取的MOSFET開關(guān)損耗占較大比例時,需要優(yōu)先考慮米勒電容Crss的值。
整體開關(guān)損耗為開通及關(guān)斷的開關(guān)損耗之和:
從上面的分析可以得到以下結(jié)論:
(1)減小驅(qū)動電阻可以減小線性區(qū)持續(xù)的時間,提高開關(guān)的速度,從而降低開關(guān)損耗,但是過高的開關(guān)速度會引起EMI的問題。
(2)提高柵極驅(qū)動電壓也可以提高開關(guān)的速度,降低開關(guān)損耗。同時,高的柵極驅(qū)動電壓會增加驅(qū)動損耗,特別是輕載的時候,對效率的影響更明顯。
(3)降低米勒電壓,也就是降低閾值開啟電壓同時提高跨導(dǎo),也可以提高開關(guān)速度,降低開關(guān)損耗。但過低的閾值電壓會使MOSFET容易受到干擾誤導(dǎo)通,而跨導(dǎo)和工藝有關(guān)。?
(mbbeetchina)
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