大功率Mosfet晶體管制作等離子揚聲器

描述

這次我將介紹如何借助半導體，特別是大功率 Mosfet 晶體管來制作等離子揚聲器。

與使用真空管制成的相同設(shè)備相比，這種設(shè)計有幾個優(yōu)點：真空管現(xiàn)在很難獲得，MOSFET 晶體管很普遍，而且價格非常低廉。然后，該設(shè)備在低于 40 伏的低電壓下工作，而不是在 300 至 600 伏電壓下工作的電子管。在這種情況下，在可變電容器的幫助下，調(diào)諧設(shè)備也簡單得多。

事實上，這是一個高頻固態(tài)特斯拉線圈，它是調(diào)幅的。幅度調(diào)制可以通過在 Mosfet 源極和 GND 之間嫁接簡單電路來實現(xiàn)。

該設(shè)備由幾個組件組成：

• 輸出線圈由 150 圈直徑為 0.6 毫米的銅絕緣線組成，繞在一個直徑為 2.5 厘米的體上。
• 振蕩器線圈包含 7 圈直徑為 2 毫米的絕緣銅線，纏繞在直徑為 5 厘米的主體上。該線圈與可變電容器一起定義了振蕩頻率，在這種情況下設(shè)置為 10Mhz，因為它是輸出線圈的諧振頻率。
• 小型扼流圈纏繞在直徑為 1.5 厘米的主體上，包含約 50 匝直徑為 0.5 毫米的漆銅線。
• 可變電容器取自舊的中波收音機，用于將振蕩器電路微調(diào)至所需頻率。
• 電位器改變輸入音頻信號的調(diào)制程度。

最后，我想提一下，晶體管應(yīng)該安裝在一個比較大的鋁制散熱器上。

免責聲明！該設(shè)備中存在高壓，在操作過程中會發(fā)出強電磁場。在沒有適當屏蔽的情況下，切勿運行該設(shè)備。我拒絕對任何可能的傷害、法律問題、財產(chǎn)損失或死亡承擔任何責任，您在此處找到的任何內(nèi)容均不提供任何保證，您做任何事情的風險自負！