資料介紹
氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)器件也被成為第三代半導(dǎo)體,其禁帶寬度約是硅器件的3倍,擊穿場(chǎng)強(qiáng)約是硅器件的10倍,因 而具有更高的耐壓能力以及更低的導(dǎo)通壓降,轉(zhuǎn)換效率高,也更適應(yīng)高溫工作環(huán)境。與硅材料和SiC相比,GaN材料電子飽和 漂移速率更高,適合高頻率應(yīng)用場(chǎng)景,因而在電力電子應(yīng)用中,GaN器件可以在MHz以上頻率工作,大大減小了對(duì)外圍電路中 電感器件的要求,從而可以成倍減少設(shè)備體積,減少銅等高成本原材料的用量,在開關(guān)電源應(yīng)用上,明顯優(yōu)于硅器件。
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