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IGBT參數(shù)說(shuō)明
一、開(kāi)通延時(shí)。 t1時(shí)刻Vge上升到10%,t2時(shí)刻Ic上升到10%,開(kāi)通延時(shí)td(on)=t2-t1。 二、關(guān)斷延時(shí)。 t1時(shí)刻Vge下降到90%,t2時(shí)刻Ic下降到90%,關(guān)斷延時(shí)td(off)=t2-t1。 三、上升時(shí)間。 t1時(shí)刻Ic上升到10%,t2時(shí)刻Ic上升到90%(不算過(guò)沖部分),上升時(shí)間tr=t2-t1。 四、下降時(shí)間。 t1時(shí)刻Ic下降到90%,t2時(shí)刻Ic下降到10%,下降時(shí)
一、開(kāi)通延時(shí)。 t1時(shí)刻Vge上升到10%,t2時(shí)刻Ic上升到10%,開(kāi)通延時(shí)td(on)=t2-t1。 二、關(guān)斷延時(shí)。 t1時(shí)刻Vge下降到90%,t2時(shí)刻Ic下降到90%,關(guān)斷延時(shí)td(off)=t2-t1。 三、上升時(shí)間。 t1時(shí)刻Ic上升到10%,t2時(shí)刻Ic上升到90%(不算過(guò)沖部分),上升時(shí)間tr=t2-t1。 四、下降時(shí)間。 t1時(shí)刻Ic下降到90%,t2時(shí)刻Ic下降到10%,下降時(shí)
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