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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>DMC4040SSD可降低MOSFET損耗 確?？煽窟\(yùn)行

      DMC4040SSD可降低MOSFET損耗 確保可靠運(yùn)行

      2023-07-25 | pdf | 0.33 MB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      介紹
      當(dāng)用于無刷直流 （BLDC） 電機(jī)應(yīng)用時(shí)，用于半橋或全橋的 MOSFET驅(qū)動(dòng)器級(jí)承受的高扭矩電流比連續(xù)運(yùn)行高幾倍當(dāng)前。通過實(shí)驗(yàn)室評(píng)估和功率損耗分析，本應(yīng)用筆記演示了DMC4040SSD（40V 互補(bǔ)對 MOSFET）保持在最大結(jié)內(nèi)在消費(fèi)類打印機(jī)的苛刻環(huán)境中評(píng)估時(shí)的溫度額定值。
      用于打印機(jī)的MOSFET全橋驅(qū)動(dòng)器
      消費(fèi)類打印機(jī)的BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路的簡化框圖如圖1所示。下面?？梢钥闯?，三對互補(bǔ)MOSFET用于驅(qū)動(dòng)三相BLDC發(fā)動(dòng)機(jī)。這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)優(yōu)于全 N 溝道 MOSFET 配置，因?yàn)樾枰嗫梢允∪ビ糜诟叨薔溝道MOSFET的復(fù)雜電平移位柵極驅(qū)動(dòng)器電路。

      圖 1 典型 BLDC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的框圖
      根據(jù)所部署的設(shè)計(jì)理念，MOSFET 由微控制器或低功耗預(yù)驅(qū)動(dòng)器IC，具有低電流，柵極驅(qū)動(dòng)電壓在5V至10V之間。A 柵極電壓通常首選高于 5V 的幅度，因?yàn)樗纱_保 MOSFET 的完全增強(qiáng)，從而降低啟動(dòng)序列期間的電阻損耗。此外，MOSFET 具有低柵極電荷 QG（tot） 也很重要，以便將漏極電壓與電流換向時(shí)間的關(guān)系，從而降低開關(guān)損耗。
      功率損耗和器件溫度分析
      在啟動(dòng)條件下，BLDC 電機(jī)的繞組由高扭矩電流激勵(lì)最高可達(dá)其連續(xù)額定電流的五倍。該轉(zhuǎn)矩電流流過 MOSFET導(dǎo)致設(shè)備斷電和溫升。
      因此，在選擇合適的MOSFET時(shí)必須小心，以確保功率損耗最小化，并且峰值瞬時(shí)器件溫度不超過最大值電機(jī)啟動(dòng)期間 MOSFET 的結(jié)溫。

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