資料介紹
該 54mΩ、60V N 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術(shù)經(jīng)過設(shè)計(jì)和優(yōu)化,能夠最大限度地減小在空間受限的工業(yè)負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中占用的空間。這項(xiàng)技術(shù)能夠在替代標(biāo)準(zhǔn)小信號(hào) MOSFET 的同時(shí)大幅減小封裝尺寸。
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