WD4000系列晶圓幾何量測系統(tǒng):全面支持半導(dǎo)體制造工藝量測,保障晶圓制造工藝質(zhì)量
資料介紹
TTV、BOW、WARP對晶圓制造工藝的影響
- 對化學(xué)機械拋光工藝的影響:拋光不均勻,可能會導(dǎo)致CMP過程中的不均勻拋光,從而造成表面粗糙和殘留應(yīng)力。
- 對薄膜沉積工藝的影響:凸凹不平的晶圓在沉積過程中會導(dǎo)致沉積薄膜厚度的不均勻,影響隨后的光刻和蝕刻過程中創(chuàng)建電路圖案的精度。
- 對光刻工藝的影響:影響聚焦;不平整的晶圓,在光刻過程中,會導(dǎo)致光刻焦點深度變化,從而影響光刻圖案的質(zhì)量。
- 對晶圓裝載工藝的影響:在自動裝載過程中,凸凹的晶圓容易損壞。如碳化硅襯底加工過程中,一般還會在切割工藝時留有余量,以便在后續(xù)研磨拋光過程中減小TTV、BOW、Warp的數(shù)值。
TTV、BOW、Warp的區(qū)別
TTV描述晶圓的厚度變化,不量測晶圓的彎曲或翹曲;BOW度量晶圓彎曲程度,主要度量考慮中心點與邊緣的彎曲;Warp更全面,度量整個晶圓表面的彎曲和翹曲。盡管這三個參數(shù)都與晶圓的幾何特性有關(guān),但量測的關(guān)注點各有不同,對半導(dǎo)體制程和晶圓處理的影響也有所區(qū)別。
WD4000系列晶圓幾何量測系統(tǒng)功能及應(yīng)用方向
WD4000晶圓幾何量測系統(tǒng)可自動測量Wafer厚度、彎曲度、翹曲度、粗糙度、膜厚 、外延厚度等參數(shù)。該系統(tǒng)可用于測量不同大小、不同材料、不同厚度晶圓的幾何參數(shù);晶圓材質(zhì)如碳化硅、藍寶石、氮化鎵、硅、玻璃片等。它是以下測量技術(shù)的組合:
- 光譜共焦技術(shù)測量Wafer Thickness 、TTV 、LTV 、BOW 、WARP 、TIR 、SORI 等參數(shù),同時生成Mapping圖;
- 三維輪廓測量技術(shù):對Wafer表面進行光學(xué)掃描同時建立表面3D層析圖像,高效分析晶圓表面形貌、粗糙度、測量鐳射槽深寬等形貌參數(shù);
- 白光干涉光譜分析儀,可通過數(shù)值七點相移算法計算,以亞納米分辨率測量晶圓表面的局部高度,并實現(xiàn)膜厚測量功能;
- 紅外傳感器發(fā)出的探測光在 Wafer不同表面反射并形成干涉,由此計算出兩表面間的距離(即厚度),適用于測量外延片、鍵合晶圓幾何參數(shù)。
- CCD定位巡航功能,具備Mark定位,及圖案晶圓避障功能。
WD4000無圖晶圓幾何量測系統(tǒng)已廣泛應(yīng)用于襯底制造、外延制造、晶圓制造、晶圓減薄設(shè)備、晶圓拋光設(shè)備、及封裝減薄工藝段的量測;覆蓋半導(dǎo)體前道、中道、后道整條工藝線。該系統(tǒng)不僅廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè),在3C電子玻璃屏、光學(xué)加工、顯示面板、光伏、等超精密加工行業(yè)也大幅鋪開應(yīng)用。
量測系統(tǒng)自動上下料,自動測量
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