愛普生可編程貼片晶振SG-8101CB編碼X1G005201004600

     愛普生晶振,貼片晶振,SG-8101CB品振,EPSON可編程晶振,小尺寸的TCXO溫補(bǔ)晶振內(nèi)部晶片焊接模式采用了，高精密點(diǎn)膠技術(shù)，晶片膠點(diǎn)的位置、大小:位置準(zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性，通過圖像識別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用、使晶片的點(diǎn)膠的精度在+0.02mm之內(nèi)，確保TCXO晶體產(chǎn)品精度，穩(wěn)定性能良好發(fā)揮功能。壓控溫補(bǔ)晶振系列，VC-TCXO產(chǎn)品內(nèi)部晶片焊接模式采用了，高精密點(diǎn)膠技術(shù):晶片膠點(diǎn)的位置、大小:位置準(zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性，通過圖像識別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用、使晶片的點(diǎn)膠的精度在+0.02mm之內(nèi)。

    VCX0壓控晶振輸出波形和參數(shù):VCX0壓控晶振 輸出波形即參數(shù)與普通石英晶體振蕩器0SC輸出波形和參數(shù)基本一樣。VCX0壓控晶振 線性度，VCX0壓控晶振 線性度有兩種表示方法:分別為: 百分比 %、單位電壓頻率變化量PPI!/Vo1t。通?？蛻粢蟮闹笜?biāo)為%，VCX0壓控晶振三態(tài)Tri-state(enable/disabled):VCX0壓控晶振 也具有三態(tài)功能Tri-state(enab1e/disab1ed)，在DIP VCX0壓控晶振 中由于只有4個(gè)引腳，所以沒有Tri-state功能，在PCB VCXO、SMD VCXO 中具有Tri-state功能，此功能為2# 引腳。(曾經(jīng)也有客戶提出5 #為三態(tài)控制腳)。常規(guī)有源晶振基座均可滿足。

存儲事項(xiàng)，愛普生晶振,貼片品振,SG-8101CB晶振,EPSON可編程晶振

(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存晶體產(chǎn)品時(shí)，會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長期儲藏。正常溫度和濕度:

溫度:+15°C至 +35°℃，濕度25%RH至85%RH(請參閱“測試點(diǎn)JSC60068-1/IEC60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容)

(2)請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。安裝時(shí)注意事項(xiàng)

耐焊性

加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損書產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下，對晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度，會破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí)，在安裝條件更改的情況下，請?jiān)俅芜M(jìn)行檢査。如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接，請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。

(1)柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品

型號 焊接條件

[柱面式] C-類型，C-2-類型，C-4-類型 +280°C或低于@最大值5 s請勿加熱封裝材料超過+150°C

「柱面式1CA-301「DIP1 SG-51/531,SG-8002DBDC,RTC-72421/7301DG+260°C或低于@最大值10s請勿加熱封裝材料超過+150°C

(2)SMD產(chǎn)品回流焊接條件(實(shí)例)

用于JEDECJ-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷。盡可能使溫度變化曲線保持平滑。愛普生晶振,貼片晶振,SG-8101CB晶振,EPSON可編程晶振。