資料介紹
SiC(碳化硅)是一種由硅(Si)和碳(C)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。表 1-1 列出了各種半導(dǎo)體材料的電氣特征,SiC 的優(yōu)點不 僅在于其絕緣擊穿場強(qiáng)(Breakdown Field)是 Si 的 10 倍,帶隙(Energy Gap)是 Si 的 3 倍,而且在器件制造時可以在較寬的范 圍內(nèi)實現(xiàn)必要的 P 型、N 型控制,所以被認(rèn)為是一種超越 Si 極限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各種多型體(結(jié)晶多系), 它們的物性值也各不相同。最適合于制造功率器件的是 4H-SiC,現(xiàn)在 4inch~6inch 的單晶晶圓已經(jīng)實現(xiàn)了量產(chǎn)。
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