資料介紹
航天應用的一個常見設計挑戰(zhàn)是需要生成負電壓軌。本應用手冊說明了如何使用抗輻射 TPS7H4010-SEP 設計反 相降壓/升壓。在 LEO™ 應用中,需要使用抗輻射器件來屏蔽單粒子效應和劑量效應。TPS7H4010-SEP 的電離輻 射總劑量額定值為 30krad (Si),單粒子閂鎖效應抑制額定值為 43MeV*cm2/mg。此拓撲采用正輸入電壓并產(chǎn)生經(jīng) 調(diào)節(jié)的負輸出電壓。本應用手冊詳細介紹了設計注意事項和仿真結(jié)果,以便設計人員可以根據(jù)不同的要求擴展設 計。該文檔還包含實驗結(jié)果和配置說明,用以通過 -6V 和 -1.8V 電源軌的 12V 輸入和 5V 輸入調(diào)節(jié) -12V、-6V 和 -1.8V 的電壓軌。
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