資料介紹
對(duì)于許多基于DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器的新興高速應(yīng)用拓?fù)洌褂肎aN FETs的優(yōu)勢(shì)超過(guò)硅MOSFETs,例如RF功率放大器(RFPA)、電信基站中的無(wú)線發(fā)射機(jī)和無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸。aRFPA中的發(fā)射機(jī)在空閑或工作時(shí)會(huì)浪費(fèi)大量的功率作為熱量,因此采用不同的功率調(diào)制技術(shù)來(lái)使功率放大器遵循信號(hào)放大所需的最佳功率水平。功率水平高達(dá)數(shù)百瓦,線性放大器產(chǎn)生約50%的效率。然而,使用具有D類拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的GaN FETs,開關(guān)放大器現(xiàn)在的峰效率超過(guò)90%。這種效率的提高使得基帶站可以節(jié)省電力和維護(hù)費(fèi)用,5G用戶可以節(jié)省電池壽命和通話時(shí)間。FPA電路設(shè)計(jì)的一個(gè)重要方面是選擇高性能的柵極驅(qū)動(dòng)器??紤]到柵極驅(qū)動(dòng)電路的PCB布局和驅(qū)動(dòng)器傳播延遲變化中的最小死區(qū)時(shí)間以及無(wú)失真RF信號(hào)放大的其他變量,GaN FET和高性能GaNdriver可以提供高性能RF功率。LMG1210能夠通過(guò)5V柵極驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)高達(dá)50MHz的開關(guān)頻率,從而提高RFPA的性能,支持高性能GaN的緊密布局,獲得精確的死區(qū)時(shí)間最小化,從而最大限度地提高滿載效率,等等。
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