資料介紹
在高功率密度應(yīng)用中,氮化鎵(GaN)fet為設(shè)計(jì)人員提供了一種可行的硅MOSFETs替代品。這是因?yàn)樗鼈儽裙栌酗@著的優(yōu)勢(shì),包括小結(jié)電容、沒(méi)有體二極管和沒(méi)有反向恢復(fù)損耗。這些優(yōu)勢(shì)支持更高效、更緊湊的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì),由更高的開關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)?,F(xiàn)在,主要的商用GaN FETs是橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)。在結(jié)構(gòu)中沒(méi)有p-n摻雜漂移區(qū)的情況下,GaN在第三象限操作中表現(xiàn)出獨(dú)特的特性。本應(yīng)用報(bào)告基于對(duì)GaN橫向結(jié)構(gòu)的研究,詳細(xì)解釋了GaN在反向電流傳導(dǎo)中的類二極管行為。當(dāng)GaN用作整流器時(shí),自然會(huì)出現(xiàn)第三象限運(yùn)行。本應(yīng)用報(bào)告還展示了如何利用短死區(qū)時(shí)間或自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制來(lái)最大限度地降低用作整流器的GaN FETs的第三象限損耗。
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